Інтэгральная схема: розьніца паміж вэрсіямі

Змесціва выдалена Змесціва дададзена

Лінейны

Вэрсія ад 11:19, 3 жніўня 2017

Інтэгра́льная схе́ма (мікрасхема; грэц. σχήμα — вобраз) — прыстасаваньне з электрычна зьвязаных між сабой у адзіным вытворчым цыкле на аснове агульнай нясучай падложкі актыўных і пасіўных электрарадыёэлемэнтаў (ЭРЭ) для пераўтварэньня, апрацоўкі і захаваньня (назапашваньня) пададзеных у выглядзе сьветлавых і электрычных сыгналаў зьвестак. Актыўныя электрарадыёэлемэнты (ЭРЭ) ўлучаюць дыёд, структуры мэтал-дыэлектрык-паўправаднік і транзыстар. Пасіўныя ЭРЭ — кандэнсатар, рэзыстар, трансфарматар і шпулю індуктыўнасьці. Ёсьць складовай асновай электронных прыладаў. Спосабы разьліку і вырабу распрацоўваюцца ў мікраэлектроніцы^[1].

Віды

Паводле спосабу аб’яднаньня складнікаў: паўправадніковы (маналітны), стужкавы і шматкрышталёвы (гібрыдны).
- Паўправадніковы. Складнікі ўтвараюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай пласьціны з крэмна або арсэніда галія(en)) у выніку спалучэньня легіраваньня(en), траўленьня, аксыдаваньня і мэталізаваньня(en), што праводзяцца спосабам фоталітаграфіі(en).
- Стужкавы. Зьмяшчае толькі пасіўныя складнікі.
- Шматкрышталёвы. Падложкай служыць дыэлектрычная пласьціна з керамікі або пакрытая дыэлектрыкам мэталічная пласьціна на аснове алюміну і яго аксыдаў. На падложцы цьвёрда замацоўваюцца злучаныя між сабой стужкавымі праваднікамі ЭРЭ. Пасіўныя ЭРЭ бываюць навяснымі і стужкавымі.
Паводле выгляду апрацоўваных зьвестак: аналягавы і лічбавы.
Паводле колькасьці складнікаў на падложцы: малы, сярэдні, вялікі і звышвялікі^[1].

Крыніцы

^ ^а ^б Валянцін Баранаў, Анатоль Дастанка. Інтэгральная схема // Беларуская энцыкляпэдыя ў 18 тамах / гал.рэд. Генадзь Пашкоў. — Менск: Беларуская энцыкляпэдыя імя Петруся Броўкі, 1998. — Т. 7. — С. 280. — 608 с. — 10 000 ас. — ISBN 985-11-0130-3

Вонкавыя спасылкі

Інтэгральная схема — сховішча мультымэдыйных матэрыялаў

[БЭ-1] а ^б Валянцін Баранаў, Анатоль Дастанка. Інтэгральная схема // Беларуская энцыкляпэдыя ў 18 тамах / гал.рэд. Генадзь Пашкоў. — Менск: Беларуская энцыкляпэдыя імя Петруся Броўкі, 1998. — Т. 7. — С. 280. — 608 с. — 10 000 ас. — ISBN 985-11-0130-3

[1]

@@ Радок 1: / Радок 1: @@
 [[Файл:Photo-SMDchips.jpg|міні|230пкс|Мікрасхемы для паверхневага мантажу]]
-'''Інтэгральная схема''' (мікрасхема; {{мова-el|σχήμα|скарочана}} — вобраз) — прыстасаваньне з [[Электрамагнітнае ўзаемадзеяньне|электрычна зьвязаных]] між сабой у адзіным вытворчым цыкле на аснове агульнай нясучай падложкі актыўных і пасіўных электрарадыёэлемэнтаў (ЭРЭ) для пераўтварэньня, апрацоўкі і захаваньня (назапашваньня) пададзеных у выглядзе [[Сьвятло|сьветлавых]] і электрычных сыгналаў [[Зьвесткі|зьвестак]]. Актыўныя электрарадыёэлемэнты (ЭРЭ) ўлучаюць [[дыёд]], структуры [[мэтал]]-[[дыэлектрык]]-[[паўправаднік]] і [[транзыстар]]. Пасіўныя ЭРЭ — [[кандэнсатар]], [[рэзыстар]], [[трансфарматар]] і [[Шпуля індуктыўнасьці|шпулю індуктыўнасьці]]. Ёсьць складовай асновай электронных прыладаў. Спосабы разьліку і вырабу распрацоўваюцца ў [[Электроніка|мікраэлектроніцы]]<ref name="БЭ">{{Кніга|аўтар=[[Валянцін Баранаў]], [[Анатоль Дастанка]].|частка=Інтэгральная схема|загаловак=[[Беларуская энцыкляпэдыя]] ў 18 тамах|арыгінал=|спасылка=http://files.knihi.com/Slounik/02/enc/Bielaruskaja_encyklapedyja.torrent|адказны=гал.рэд. [[Генадзь Пашкоў]]|выданьне=|месца=Менск|выдавецтва=[[Беларуская энцыкляпэдыя імя Петруся Броўкі]]|год=1998|том=7|старонкі=280|старонак=608|сэрыя=|isbn=985-11-0130-3|наклад=10 000}}</ref>.
+'''Інтэгра́льная схе́ма''' (мікрасхема; {{мова-el|σχήμα|скарочана}} — вобраз) — прыстасаваньне з [[Электрамагнітнае ўзаемадзеяньне|электрычна зьвязаных]] між сабой у адзіным вытворчым цыкле на аснове агульнай нясучай падложкі актыўных і пасіўных электрарадыёэлемэнтаў (ЭРЭ) для пераўтварэньня, апрацоўкі і захаваньня (назапашваньня) пададзеных у выглядзе [[Сьвятло|сьветлавых]] і электрычных сыгналаў [[Зьвесткі|зьвестак]]. Актыўныя электрарадыёэлемэнты (ЭРЭ) ўлучаюць [[дыёд]], структуры [[мэтал]]-[[дыэлектрык]]-[[паўправаднік]] і [[транзыстар]]. Пасіўныя ЭРЭ — [[кандэнсатар]], [[рэзыстар]], [[трансфарматар]] і [[Шпуля індуктыўнасьці|шпулю індуктыўнасьці]]. Ёсьць складовай асновай электронных прыладаў. Спосабы разьліку і вырабу распрацоўваюцца ў [[Электроніка|мікраэлектроніцы]]<ref name="БЭ">{{Кніга|аўтар=[[Валянцін Баранаў]], [[Анатоль Дастанка]].|частка=Інтэгральная схема|загаловак=[[Беларуская энцыкляпэдыя]] ў 18 тамах|арыгінал=|спасылка=http://files.knihi.com/Slounik/02/enc/Bielaruskaja_encyklapedyja.torrent|адказны=гал.рэд. [[Генадзь Пашкоў]]|выданьне=|месца=Менск|выдавецтва=[[Беларуская энцыкляпэдыя імя Петруся Броўкі]]|год=1998|том=7|старонкі=280|старонак=608|сэрыя=|isbn=985-11-0130-3|наклад=10 000}}</ref>.
 == Віды ==
 * Паводле спосабу аб’яднаньня складнікаў: паўправадніковы (маналітны), стужкавы і шматкрышталёвы (гібрыдны).
-**''Паўправадніковы''. Складнікі ўтвараюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай пласьціны з [[крэмн]]а або {{Артыкул у іншым разьдзеле|Арсэнід галія|арсэніда галія|en|Gallium arsenide}}) у выніку спалучэньня {{Артыкул у іншым разьдзеле|Легіраваньне|легіраваньня|en|Doping (semiconductor)}}, [[Аквафортэ|траўленьня]], [[Затляняльна-аднаўленчыя рэакцыі|аксыдаваньня]] і {{Артыкул у іншым разьдзеле|Мэталізаваньня|мэталізаваньня|en|Metallizing}}, што праводзяцца спосабам {{Артыкул у іншым разьдзеле|Фоталітаграфія|фоталітаграфіі|en|Photolithography}}.
+** ''Паўправадніковы''. Складнікі ўтвараюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай пласьціны з [[крэмн]]а або {{Артыкул у іншым разьдзеле|Арсэнід галія|арсэніда галія|en|Gallium arsenide}}) у выніку спалучэньня {{Артыкул у іншым разьдзеле|Легіраваньне|легіраваньня|en|Doping (semiconductor)}}, [[Аквафортэ|траўленьня]], [[Затляняльна-аднаўленчыя рэакцыі|аксыдаваньня]] і {{Артыкул у іншым разьдзеле|Мэталізаваньня|мэталізаваньня|en|Metallizing}}, што праводзяцца спосабам {{Артыкул у іншым разьдзеле|Фоталітаграфія|фоталітаграфіі|en|Photolithography}}.
-**''Стужкавы''. Зьмяшчае толькі пасіўныя складнікі.
+** ''Стужкавы''. Зьмяшчае толькі пасіўныя складнікі.
-**''Шматкрышталёвы''. Падложкай служыць дыэлектрычная пласьціна з [[Кераміка|керамікі]] або пакрытая дыэлектрыкам мэталічная пласьціна на аснове [[алюмін]]у і яго [[аксыд]]аў. На падложцы цьвёрда замацоўваюцца злучаныя між сабой стужкавымі [[праваднік]]амі ЭРЭ. Пасіўныя ЭРЭ бываюць навяснымі і стужкавымі.
+** ''Шматкрышталёвы''. Падложкай служыць дыэлектрычная пласьціна з [[Кераміка|керамікі]] або пакрытая дыэлектрыкам мэталічная пласьціна на аснове [[алюмін]]у і яго [[аксыд]]аў. На падложцы цьвёрда замацоўваюцца злучаныя між сабой стужкавымі [[праваднік]]амі ЭРЭ. Пасіўныя ЭРЭ бываюць навяснымі і стужкавымі.
 * Паводле выгляду апрацоўваных зьвестак: аналягавы і лічбавы.
 * Паводле колькасьці складнікаў на падложцы: малы, сярэдні, вялікі і звышвялікі<ref name="БЭ"/>.
@@ Радок 16: / Радок 16: @@
 {{Commons}}
-[[Катэгорыя:Электронныя кампанэнты]]
+[[Катэгорыя:Інтэгральныя схемы| ]]
-[[Катэгорыя:Паўправадніковыя прылады]]
 [[Катэгорыя:Вынаходніцтвы]]