КМАП

Камплемэнтарны мэтал-аксыд-паўправаднік (скар. КМАП; па-ангельску: Complementary metal–oxide–semiconductor, CMOS) — тэхналёгія стварэньня мікрасхемаў, якая ўжываецца ў вытворчасьці мікрапрацэсараў, мікракантралёраў, статычнай памяці і іншых лічбавых электронных кампанэнтаў. Тэхналёгія КМАП ужываецца таксама ў некаторых аналягавых схемах, як то лічбавых фотаматрыцах (КМАП-сэнсар), пераўтваральніках зьвестак і трансывэрах. Патэнт на тэхналёгію быў атрыманы Фрэнкам Ўэнлесам (анг. Frank Wanlass) у 1967 годзе.

Дзьвюма ключавымі асаблівасьцямі прыладаў на КМАП зьяўляюцца ўстойлівасьць да шуму і малы ўзровень спажываньня энэргіі ў статычным рэжыме (збольшага можна лічыць, што энэргія спажываецца толькі ў часе пераключэньня станаў). Адпаведна, прылады з КМАП выдзяляюць параўнальна меней пабочнага цяпло, як то прылады на транзыстарна-транзыстарнай лёгіцы або N-МАП, у якой напружаньне трывае, нават калі стан не зьмяняецца.

У КМАП выкарыстоўваюцца палявыя транзыстары з ізаляванай засаўкай з каналамі рознай праводнасьці. Слова «камплемэнтарны» ў назьве тлумачыцца тым, што канструкцыя КМАП складаецца з двух камплемэнтарных (т. б. якія дапаўняюць адзін аднаго) p- і n-канальных МАП-транзыстараў, якія выконваюць лягічныя апэрацыі; у гэтым палягае прычына іх лепшай прадукцыйнасьці і меншага энэргаспажываньня, але таксама яны характарызуюцца складанейшым тэхналягічным працэсам і меншай шчыльнасьцю ўпакоўкі.

«Мэтал-аксыд-паўправаднік» — апісаньне фізычнай структуры некаторых палявых транзыстараў, у якіх мэталічная засаўка — электрод — разьмешчаная на акісьленым дыэлектрыку, які ў сваю чаргу разьмешчаны на паўправадніковым матэрыяле. Раней у якасьці апошняга выкарыстоўваліся двухскладнікавыя паўправаднікі з алюміну, але цяпер для гэтага служыць полікрысталічны крэмн.

Вонкавыя спасылкі

КМАП — сховішча мультымэдыйных матэрыялаў

Гэта — накід артыкула. Вы можаце дапамагчы Вікіпэдыі, пашырыўшы яго.