Прагляд крыніцы для Памяць з адвольным доступам

[[Файл:Elixir M2U51264DS8HC3G-5T 20060320.jpg|міні|Прыклад [[энэргазалежная памяць|энэргазалежнае]] памяці з адвольным доступам: [[DDR SDRAM|SDRAM]] — звычайна выкарыстоўваецца ў якасьці асноўнае памяці ў [[Пэрсанальны кампутар|пэрсанальных кампутарах]] і [[сэрвэр (апаратнае забесьпячэньне)|сэрвэрах]].]]
'''Памяць з адвольным доступам''', '''апэратыўная памяць''' ({{мова-en|random-access memory, RAM}}) — адзін зь відаў кампутарнае памяці. На сёняшні дзень уяўляе сабой набор інтэгральных схемаў, якія дазваляюць доступ на запіс і чытаньне да любой (адвольнай) ячэйкі захаванае інфармацыі<ref>{{кніга|url=http://nastaunik.info/files/f/332_savicki.pdf|загаловак=Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы|месца=Менск|выдавецтва=Энцыклапедыкс|год=2009|аўтар=Мікола Савіцкі|isbn=978-985-6742-83-8}}</ref>. Слова ''адвольны'' ў гэтым выпадку падкрэсьлівае тое, што пэўная адзінка інфармацыі можа быць атрымана за пэўны прамежак часу незалежна ад яе фізычнага месцазнаходжаньня й залежнасьці ад папярэдняе адзінкі інфармацыі{{заўвага|У прынцыповым разуменьні «адвольнасьці», сучасныя віды DRAM-памяці не надаюць фактычна адвольны доступ, таму што памяць на самой справе чытаецца блёкамі. Між тым, многія віды [[SRAM]], [[ROM]], [[NOR]]-флэшпамяці і іншыя могуць зьяўляцца памяцьцю з адвольным доступам нават у прынцыповым разуменьні.}}. Гэтым апэратыўная памяць адрозьніваецца ад такіх носьбітаў інфармацыі, як [[цьвёрды дыск]], [[CD]]- і [[DVD]]-дыск, або [[магнітная стужка]]: пасьлядоўнае счытваньне зьвестак і іх захаваньне ў перадвызначаным парадку — наступства канструкцыйных абмежаваньняў.

Абрэвіятура ''RAM'' звычайна асацыюецца з [[Энэргазалежная памяць|энэргазалежнай памяцьцю]], кшталту [[DRAM]], якая губляе ўсю зьмешчаную ў сабе інфармацыю пасьля губленьня [[электрычная напруга|электрычнае напругі]].

Першыя модулі RAM на аснове магнітных асяродкаў, прыдатныя для масавага выкарыстаньня, зьявіліся на рынку ў 1951 годзе і сышлі зь яго на мяжы [[1960-я|1960]]—[[1970-я|1970-х]] гадоў, калі наступіла эра паўправадніковай памяці.

== Гісторыя ==
[[Файл:Bundesarchiv Bild 183-1989-0406-022, VEB Carl Zeiss Jena, 1-Megabit-Chip.jpg|міні|1-мэгабайтны чып — адна з апошніх мадэляў [[Carl Zeiss|Carl Zeiss AG]], распрацаваная у 1989 годзе.]]
Першыя кампутары ў якасьці асноўнай прылады для захаваньня зьвестак выкарыстоўвалі [[рэле]] і [[Памяць на лініях затрымкі|лініі затрымкі]]. Ультрагукавыя лініі затрымкі маглі ўзнавіць зьвесткі толькі ў тым выглядзе, у якім яны былі запісаныя. [[Магнітны барабан|Магнітныя барабаны]] мелі нізкі кошт маштабаваньня, але атрыманьне непасьлядоўных кавалкаў інфармацыі было праблематычным бязь ведаў пра будову і працу прыбора. Трыгеры на [[трыёд]]ах, а потым на дыскрэтных [[транзыстар]]ах, выкарыстоўваліся ў меншых і хутчэйшых тыпах памяці, такіх як банкі рэгістраў з адвольным доступам. Тамтэйшыя рэгістры былі адносна вялікія, але акрамя памераў яны спажывалі шмат энэргіі і каштавалі зашмат для выкарыстаньня разам зь вялікімі аб’ёмамі зьвестак. Часьцей за ўсё пабудаваныя такім чынам элемэнты памяці маглі ўтрымліваць колькі соцень або тысяч бітаў памяці.

Першай сапраўднай памяцьцю з адвольным доступам лічыцца [[трубка Ўільямза]], створаная ў 1947 годзе. У якасьці носьбіту зьвестак у [[электронна-прамянёвая трубка|электронна-прамянёвай трубцы]] выступаў экран, пэўныя вобласьці якога зараджаліся для захаваньня інфармацыі. Адвольнасьць доступу дасягалася за конт таго, што электронны прамень трубкі мог счытваць і запісваць вобласьці экрану ў адвольным парадку. Аб’ём зьвестак у трубцы Ўільямза не перавышаў тысячу біт, але новая прылада была хутчэйшай, меншай у памерах і энэргаашчаджальнай, у адрозьненьне ад электравакуўмных трыгераў.

У 1947 годзе быў таксама вынайдзены іншы тып памяці з адвольным доступам — [[памяць на магнітных асяродках]]. Гэтая памяць паўсюдна выкарыстоўвалася да сярэдзіны 1970-х гадоў. Гэтая памяць уяўляла сабою шэраг намагнічаных фэрытавых кольцаў. Кожнае кольца адказвала за адзін біт інфармацыі, а яго стан — 0 або 1 — адпавядаў вызначанаму кірунку намагнічанасьці. Адзін блёк памяці ўяўляў сабою матрыцу з кольцаў, да кожнага зь якіх падводзіліся правады для чытаньня і запісу зьвестак. Такім чынам забясьпечваўся адвольны доступ да інфармацыі.

Памяць на магнітных асяродках заставалася стандартам кампутарнай памяці да сярэдзіны 1970-х гадоў, калі ён на зьмену прыйшла цьвердацельная памяць на інтэгральных схемах. У 1968 годзе {{Артыкул у іншым разьдзеле|Робэрт Дэнард||en|Robert H. Dennard}} вынайшаў [[DRAM]] — дынамічную памяць з адвольным доступам. Дэнард прапанаваў замяніць 4- або 6-транзыстарны трыгер адным транзыстарам, які б адказваў за адзін біт. Гэта дазваляла значна ўшчыльніць памяць, але за кошт зьяўленьня энэргазалежнасьці: зьвесткі захоўваліся за кошт уласнай [[электрычная ёмістасьць|электрычнай ёмістасьці]] транзыстараў і патрабавалі сталага абнаўленьня за некалькі мілісэкундаў да таго, як электрычны зарад зьнікне.

== Віды памяці ==
[[Файл:RamTypes.JPG|міні|Зьверху ўніз, зьлева направа:<br />[[DDR2 SDRAM|DDR2]] з радыятарам, DDR2 без радыятара, DDR2 для ноўтбукаў, DDR і DDR для ноўтбукаў]]
Сучасная памяць з адвольным доступам бывае двух відаў: [[SRAM (памяць)|статычная]] (SRAM) і [[DRAM|дынамічная]] (DRAM). Кожны [[біт]] памяці ў SRAM захоўваецца ў асобным [[трыгер]]ы, стан якога адпавядае значэньню біта. Статычная памяць даражэйшая ў вытворчасьці, але працуе хутчэй і спажывае менш электраэнэргіі за DRAM, таму часта выкарыстоўваецца для кэш-памяці ў [[працэсар]]ах. DRAM жа адзін біт трымае ў асобнай ячэйцы памяці — пары транзыстар-кандэнсатар: кандэнсатар утрымлівае вялікі або малы зарад (1 ці 0 адпаведна), а транзыстар грае ролю пераключальніка, які дазваляе счытваць значэньне або зьмяняць яго, зьмяніўшы зарад у кандэнсатары. З-за таго, што падобная схема зьяўляецца таньнейшай, яна атрымала шырэйшае распаўсюджаньне ў сучасных кампутарах.

Абодва віды памяці зьяўляюцца ''энэргазалежнымі'' — са стратай электрычнасьці зьнікаюць і зьвесткі. У процівагу, [[памяць толькі для чытаньня]] (ROM) можа захоўвацца і пасьля сканчэньня падачы электрычнасьці шляхам уключэньня ці выключэньня патрэбных транзыстараў, але зьвесткі ня могуць быць зьмененыя. Але ж існуць віды ROM-памяці (напрыклад, [[EEPROM]] ці [[флэш-памяць]]), якія спалучаюць уласьцівасьці ROM- і RAM-памяці, такім чынам дазваляючы захоўваць зьвесткі без падачы току і зьмяняць іх без адмысловых прыладаў. Прыкладамі падобнай памяці зьяўляюцца [[USB]]-флэш-дыскі, карты памяці для тэлефонаў і фотаапаратаў і гэтак далей.

[[ECC]]-памяць (якая можа быць як статычнай, гэтак і дынамічнай) зьмяшчае адмысловыя мікрасхемы для выяўленьня і/або выпраўленьня збояў (памылак памяці) ва ўтрыманых зьвестак з дапамогай [[біт цотнасьці|бітаў цотнасьці]] і тэхналёгіяў для [[Карэкцыя памылак|карэкцыі памылак]].

== Заўвагі ==
{{Заўвагі}}

== Крыніцы ==
{{Крыніцы}}

{{Абсталяваньне кампутара}}

[[Катэгорыя:Кампутарная памяць]]
[[Катэгорыя:Зьявіліся ў 1947 годзе]]