Палявы транзыстар: розьніца паміж вэрсіямі
дНяма апісаньня зьменаў |
д робат дадаў: et, lv, stq, uk зьмяніў: en, zh |
||
Радок 36: | Радок 36: | ||
[[da:Felteffekttransistor]] |
[[da:Felteffekttransistor]] |
||
[[de:Feldeffekttransistor]] |
[[de:Feldeffekttransistor]] |
||
[[en:Field |
[[en:Field-effect transistor]] |
||
[[es:Transistor de efecto campo]] |
[[es:Transistor de efecto campo]] |
||
[[et:Väljatransistor]] |
|||
[[fr:Transistor à effet de champ]] |
[[fr:Transistor à effet de champ]] |
||
[[ja:電界効果トランジスタ]] |
[[ja:電界効果トランジスタ]] |
||
[[ko:전계효과 트랜지스터]] |
[[ko:전계효과 트랜지스터]] |
||
[[lt:Lauko tranzistorius]] |
[[lt:Lauko tranzistorius]] |
||
[[lv:Lauktranzistors]] |
|||
[[nl:Veldeffecttransistor]] |
[[nl:Veldeffecttransistor]] |
||
[[pl:Tranzystor polowy]] |
[[pl:Tranzystor polowy]] |
||
Радок 47: | Радок 49: | ||
[[ru:Полевой транзистор]] |
[[ru:Полевой транзистор]] |
||
[[sl:Tranzistor na poljski pojav]] |
[[sl:Tranzistor na poljski pojav]] |
||
[[stq:Fäild-Effekt-Transistore]] |
|||
[[sv:Fälteffekttransistor]] |
[[sv:Fälteffekttransistor]] |
||
[[uk:Польовий транзистор]] |
|||
[[zh: |
[[zh:场效应管]] |
Вэрсія ад 18:26, 27 студзеня 2008
Палявы транзыстар — паўправадніковы прыбор з токаправодным каналам, ток у якім кіруецца электрычным полем.
Працяканьне ў палявым транзыстары току абумоўлена носьбітамі зараду толькі аднаго знаку (электронамі ці дзіркамі), таму такія прыстасаваньні называюць уніпалярнымі (у адрозніньні ад біпалярных).
Клясіфікацыя палявых транзыстараў
Па фізычнай структуры й механізму работы палявыя транзыстары ўмоўна дзеляць на 2 групы. Першую ствараюць транзыстары з кіруемым р-n пераходам або пераходам метал — паўправаднік (бар'ер Шоткі), другую — транзыстары з кіраваньнем пры дапамозе ізаляванага электроду (засаўцы), гэтак званыя транзыстары МДП (метал — дыэлектрык — паўправаднік).
Транзыстары з кіруемым p-n пераходам
Транзістары з ізаляванай засаўкай (МДП-транзістары)
Пялевы транзыстар з ізаляванай засаўкай — гэта палявы транзістар, засаўка якога адасоблена ў электрычных адносінах ад канала слоем дыэлектрыка.
У крыштале паўправадніка з адносна высокім удзельным супраціўленьнем, які называюць падложкай, створаны дзьве моцналегіраваныя вобласьці з супрацьлеглымі адносна падложкі тыпам праводнасьці. На гэтыя вобласьці нанесяны металічныя электроды — выток і сьцёк. Адлегласьць паміж моцналегіраванымі вабласіцямі вытоку і сьцёку можа быць меньш за мікрон. Паверхня крышталя паўправадніка паміж вытокам і сьцёкам пакрыта тонкім слоем (каля 0,1 мкм) дыэлектрыка. Паколькі зыходным паўправадніком для палявых транзістараў зьяўляецца крэмній, то ў якасьці дыэлектрыка выкарыстоўваюць слой двувокісу крэмнія SiO2, вырашчаный на паверхні крышталю крэмнія шляхам высокатэмпэратурнага акісленьня. На слой дыэлектрыка нанесяны металічны электрод — засаўка. Адтрымоўваецца структура, якая складаецца з метала, дыэлектрыка й паўправадніка. Таму палявыя транзыстары з ізаляванай засаўкай часта называюць МДП-транзыстарамі.
Уваходнае супроціўленьне МДП-транзістараў можа дасягаць 1010...1014 Ом (у палявых транзыстарах з кіруемым p-n-пераходам 107...109), што зьяўляецца перавагай пры пабудове высакодакладных прыстасаваньняў.
Існуюць дзьве разнастайнасці МДП-транзыстараў: з індуцыраваным каналам і з убудаваным каналам.
МДП-транзыстары з індуцыраваным каналам
У МДП-транзістарах з індуцыраваным каналам праводзячы канал паміж моцналегіраванымі вобласьцямі вытоку й сьцёку адсутнічае й таму заўважны ток сьцёку зьявляецца толькі пры пэўнай палярнасьці і пры пэўным значэньні напружаньня на засаўцы адносна вытоку, якое называюць парогавым напружаньнем (UЗИпор).
МДП-транзыстары з убудаваным каналам
У МДП-транзыстарах з убудаваным каналам у паверхні паўправадніка пад засаўкай пры нулявым напружаньні на засаўцы адносна вытоку існуе інверсны слой — канал, які злучае выток са сьцёкам.