Розьніца паміж вэрсіямі «Палявы транзыстар»

Перайсьці да навігацыі Перайсьці да пошуку
выпраўленьне спасылак
(дапаўненьне)
(выпраўленьне спасылак)
Пялевы транзыстар з ізаляванай засаўкай — гэта палявы транзістар, засаўка якога адасоблена ў электрычных адносінах ад канала слоем [[дыэлектрык]]а.
 
У крыштале паўправадніка з адносна высокім удзельным супраціўленьнем, які называюць падложкай, створаны дзьве моцналегіраваныя вобласьці з супрацьлеглымі адносна падложкі тыпам праводнасьці. На гэтыя вобласьці нанесяны металічныя электроды — выток і сьцёк. Адлегласьць паміж моцналегіраванымі вабласіцямі вытоку і сьцёку можа быць менш за мікрон. Паверхня крышталя паўправадніка паміж вытокам і сьцёкам пакрыта тонкім слоем (каля 0,1 мкм) дыэлектрыка. Паколькі зыходным паўправадніком для палявых транзістараў зьяўляецца [[крэмнійкрэмн]] (Si), то ў якасьці дыэлектрыка выкарыстоўваюць слой двувокісу крэмнія SiO<sub>2</sub>, вырашчаный на паверхні крышталю крэмнія шляхам высокатэмпэратурнага акісленьня. На слой дыэлектрыка нанесяны металічны электрод — засаўка. Адтрымоўваецца структура, якая складаецца з метала, дыэлектрыка й паўправадніка. Таму палявыя транзыстары з ізаляванай засаўкай часта называюць МДП-транзыстарамі.
 
Уваходнае супроціўленьне МДП-транзістараў можа дасягаць 10<sup>10</sup>...10<sup>14</sup> Ом (у палявых транзыстарах з кіруемым p-n-пераходам 10<sup>7</sup>...10<sup>9</sup>), што зьяўляецца перавагай пры пабудове высакодакладных прыстасаваньняў.
 
==== МДП-структуры спецыяльнага прызначэньня ====
 
== Крыніцы ==
{{Крыніцы}}
 
== Вонкавыя спасылкі ==
Ананімны ўдзельнік

Навігацыйнае мэню