Палявы транзыстар: розьніца паміж вэрсіямі

Зьвесткі зь Вікіпэдыі — вольнай энцыкляпэдыі
Змесціва выдалена Змесціва дададзена
д робат дадаў: tr:Alan etkili transistör
д робат выдаліў: vi:Field-effect transistor
Радок 33: Радок 33:


[[ar:مقحل حقلي]]
[[ar:مقحل حقلي]]
[[bn:ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]]
[[be:Палявы транзістар]]
[[be:Палявы транзістар]]
[[bg:Полеви транзистор]]
[[bg:Полеви транзистор]]
[[bn:ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]]
[[ca:Transistor d'efecte camp]]
[[ca:Transistor d'efecte camp]]
[[cs:Unipolární tranzistor]]
[[cs:Unipolární tranzistor]]
[[da:Felteffekttransistor]]
[[da:Felteffekttransistor]]
[[de:Feldeffekttransistor]]
[[de:Feldeffekttransistor]]
[[et:Väljatransistor]]
[[en:Field-effect transistor]]
[[en:Field-effect transistor]]
[[es:Transistor de efecto campo]]
[[es:Transistor de efecto campo]]
[[et:Väljatransistor]]
[[ext:FET]]
[[ext:FET]]
[[fa:ترانزیستور اثر میدان]]
[[fa:ترانزیستور اثر میدان]]
[[fi:Kanavatransistori]]
[[fr:Transistor à effet de champ]]
[[fr:Transistor à effet de champ]]
[[ko:전계효과 트랜지스터]]
[[id:Transistor efek–medan]]
[[id:Transistor efek–medan]]
[[it:Transistor ad effetto di campo]]
[[it:Transistor ad effetto di campo]]
[[ja:電界効果トランジスタ]]
[[ko:전계효과 트랜지스터]]
[[lt:Lauko tranzistorius]]
[[lv:Lauktranzistors]]
[[lv:Lauktranzistors]]
[[lt:Lauko tranzistorius]]
[[mk:Транзистор со ефект на поле]]
[[mk:Транзистор со ефект на поле]]
[[mn:Оронгийн транзистор]]
[[mn:Оронгийн транзистор]]
[[nl:Veldeffecttransistor]]
[[nl:Veldeffecttransistor]]
[[ja:電界効果トランジスタ]]
[[pl:Tranzystor polowy]]
[[pl:Tranzystor polowy]]
[[pt:Transistor de efeito de campo]]
[[pt:Transistor de efeito de campo]]
[[ru:Полевой транзистор]]
[[ru:Полевой транзистор]]
[[sl:Tranzistor na poljski pojav]]
[[stq:Fäild-Effekt-Transistore]]
[[stq:Fäild-Effekt-Transistore]]
[[sl:Tranzistor na poljski pojav]]
[[fi:Kanavatransistori]]
[[sv:Fälteffekttransistor]]
[[sv:Fälteffekttransistor]]
[[ta:மின்புல விளைவுத் திரிதடையம்]]
[[ta:மின்புல விளைவுத் திரிதடையம்]]
[[tr:Alan etkili transistör]]
[[tr:Alan etkili transistör]]
[[uk:Польовий транзистор]]
[[uk:Польовий транзистор]]
[[vi:Field-effect transistor]]
[[zh:场效应管]]
[[zh:场效应管]]

Вэрсія ад 11:09, 5 жніўня 2010

Палявы транзыстарпаўправадніковы прыбор з токаправодным каналам, ток у якім кіруецца электрычным полем.

Працяканьне ў палявым транзыстары току абумоўлена носьбітамі зараду толькі аднаго знаку (электронамі ці дзіркамі), таму такія прыстасаваньні называюць уніпалярнымі (у адрозніньні ад біпалярных).

Клясіфікацыя палявых транзыстараў

Па фізычнай структуры й механізму работы палявыя транзыстары ўмоўна дзеляць на 2 групы. Першую ствараюць транзыстары з кіруемым р-n пераходам або пераходам метал — паўправаднік (бар'ер Шоткі), другую — транзыстары з кіраваньнем пры дапамозе ізаляванага электроду (засаўцы), гэтак званыя транзыстары МДП (метал — дыэлектрык — паўправаднік).

Транзыстары з кіруемым p-n пераходам

Транзістары з ізаляванай засаўкай (МДП-транзістары)

Пялевы транзыстар з ізаляванай засаўкай — гэта палявы транзістар, засаўка якога адасоблена ў электрычных адносінах ад канала слоем дыэлектрыка.

У крыштале паўправадніка з адносна высокім удзельным супраціўленьнем, які называюць падложкай, створаны дзьве моцналегіраваныя вобласьці з супрацьлеглымі адносна падложкі тыпам праводнасьці. На гэтыя вобласьці нанесяны металічныя электроды — выток і сьцёк. Адлегласьць паміж моцналегіраванымі вабласіцямі вытоку і сьцёку можа быць менш за мікрон. Паверхня крышталя паўправадніка паміж вытокам і сьцёкам пакрыта тонкім слоем (каля 0,1 мкм) дыэлектрыка. Паколькі зыходным паўправадніком для палявых транзістараў зьяўляецца крэмній, то ў якасьці дыэлектрыка выкарыстоўваюць слой двувокісу крэмнія SiO2, вырашчаный на паверхні крышталю крэмнія шляхам высокатэмпэратурнага акісленьня. На слой дыэлектрыка нанесяны металічны электрод — засаўка. Адтрымоўваецца структура, якая складаецца з метала, дыэлектрыка й паўправадніка. Таму палявыя транзыстары з ізаляванай засаўкай часта называюць МДП-транзыстарамі.

Уваходнае супроціўленьне МДП-транзістараў можа дасягаць 1010...1014 Ом (у палявых транзыстарах з кіруемым p-n-пераходам 107...109), што зьяўляецца перавагай пры пабудове высакодакладных прыстасаваньняў.

Існуюць дзьве разнастайнасці МДП-транзыстараў: з індуцыраваным каналам і з убудаваным каналам.

МДП-транзыстары з індуцыраваным каналам

У МДП-транзістарах з індуцыраваным каналам праводзячы канал паміж моцналегіраванымі вобласьцямі вытоку й сьцёку адсутнічае й таму заўважны ток сьцёку зьявляецца толькі пры пэўнай палярнасьці і пры пэўным значэньні напружаньня на засаўцы адносна вытоку, якое называюць парогавым напружаньнем (UЗИпор).

МДП-транзыстары з убудаваным каналам

У МДП-транзыстарах з убудаваным каналам у паверхні паўправадніка пад засаўкай пры нулявым напружаньні на засаўцы адносна вытоку існуе інверсны слой — канал, які злучае выток са сьцёкам.

МДП-структуры спецыяльнага прызначэньня

Вонкавыя спасылкі

Палявы транзыстарсховішча мультымэдыйных матэрыялаў