Інтэгральная схема: розьніца паміж вэрсіямі
Змесціва выдалена Змесціва дададзена
+пачатак |
афармленьне |
||
Радок 4: | Радок 4: | ||
== Віды == |
== Віды == |
||
* Паводле спосабу аб’яднаньня складнікаў: паўправадніковы (маналітны), стужкавы і шматкрышталёвы (гібрыдны). |
* Паводле спосабу аб’яднаньня складнікаў: паўправадніковы (маналітны), стужкавы і шматкрышталёвы (гібрыдны). |
||
**''Паўправадніковы''. Складнікі ўтвараюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай пласьціны з [[крэмн]]а або {{Артыкул у іншым разьдзеле|Арсэнід галія|арсэніда галія|en|Gallium arsenide}}) у выніку спалучэньня {{Артыкул у іншым разьдзеле|Легіраваньне|легіраваньня|en|Doping (semiconductor)}}, [[Аквафортэ|траўленьня]], [[Затляняльна-аднаўленчыя рэакцыі| |
**''Паўправадніковы''. Складнікі ўтвараюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай пласьціны з [[крэмн]]а або {{Артыкул у іншым разьдзеле|Арсэнід галія|арсэніда галія|en|Gallium arsenide}}) у выніку спалучэньня {{Артыкул у іншым разьдзеле|Легіраваньне|легіраваньня|en|Doping (semiconductor)}}, [[Аквафортэ|траўленьня]], [[Затляняльна-аднаўленчыя рэакцыі|аксыдаваньня]] і {{Артыкул у іншым разьдзеле|Мэталізаваньня|мэталізаваньня|en|Metallizing}}, што праводзяцца спосабам {{Артыкул у іншым разьдзеле|Фоталітаграфія|фоталітаграфіі|en|Photolithography}}. |
||
**''Стужкавы''. Зьмяшчае толькі пасіўныя складнікі. |
**''Стужкавы''. Зьмяшчае толькі пасіўныя складнікі. |
||
**''Шматкрышталёвы''. Падложкай служыць дыэлектрычная пласьціна з [[Кераміка|керамікі]] або пакрытая дыэлектрыкам мэталічная пласьціна на аснове [[алюмін]]у і яго [[ |
**''Шматкрышталёвы''. Падложкай служыць дыэлектрычная пласьціна з [[Кераміка|керамікі]] або пакрытая дыэлектрыкам мэталічная пласьціна на аснове [[алюмін]]у і яго [[аксыд]]аў. На падложцы цьвёрда замацоўваюцца злучаныя між сабой стужкавымі [[праваднік]]амі ЭРЭ. Пасіўныя ЭРЭ бываюць навяснымі і стужкавымі. |
||
* Паводле выгляду апрацоўваных зьвестак: аналягавы і лічбавы. |
* Паводле выгляду апрацоўваных зьвестак: аналягавы і лічбавы. |
||
* Паводле колькасьці складнікаў на падложцы: малы, сярэдні, вялікі і звышвялікі<ref name="БЭ"/>. |
* Паводле колькасьці складнікаў на падложцы: малы, сярэдні, вялікі і звышвялікі<ref name="БЭ"/>. |
||
Радок 14: | Радок 14: | ||
== Вонкавыя спасылкі == |
== Вонкавыя спасылкі == |
||
{{Commons}} |
|||
{{Commonscat|Integrated circuit}} |
|||
{{Накід:Тэхніка}} |
|||
[[Катэгорыя:Электронныя кампанэнты]] |
[[Катэгорыя:Электронныя кампанэнты]] |
||
[[Катэгорыя:Паўправадніковыя прылады]] |
[[Катэгорыя:Паўправадніковыя прылады]] |
||
[[Катэгорыя:Вынаходніцтвы]] |
[[Катэгорыя:Вынаходніцтвы]] |
||
[[Катэгорыя:Электроніка]] |
Вэрсія ад 18:45, 13 траўня 2016
Інтэгральная схема (мікрасхема; грэц. σχήμα — вобраз) — прыстасаваньне з электрычна зьвязаных між сабой у адзіным вытворчым цыкле на аснове агульнай нясучай падложкі актыўных і пасіўных электрарадыёэлемэнтаў (ЭРЭ) для пераўтварэньня, апрацоўкі і захаваньня (назапашваньня) пададзеных у выглядзе сьветлавых і электрычных сыгналаў зьвестак. Актыўныя электрарадыёэлемэнты (ЭРЭ) ўлучаюць дыёд, структуры мэтал-дыэлектрык-паўправаднік і транзыстар. Пасіўныя ЭРЭ — кандэнсатар, рэзыстар, трансфарматар і шпулю індуктыўнасьці. Ёсьць складовай асновай электронных прыладаў. Спосабы разьліку і вырабу распрацоўваюцца ў мікраэлектроніцы[1].
Віды
- Паводле спосабу аб’яднаньня складнікаў: паўправадніковы (маналітны), стужкавы і шматкрышталёвы (гібрыдны).
- Паўправадніковы. Складнікі ўтвараюцца ў адным крышталі (тонкім прыпаверхневым слоі паліраванай паўправадніковай пласьціны з крэмна або арсэніда галія(en)) у выніку спалучэньня легіраваньня(en), траўленьня, аксыдаваньня і мэталізаваньня(en), што праводзяцца спосабам фоталітаграфіі(en).
- Стужкавы. Зьмяшчае толькі пасіўныя складнікі.
- Шматкрышталёвы. Падложкай служыць дыэлектрычная пласьціна з керамікі або пакрытая дыэлектрыкам мэталічная пласьціна на аснове алюміну і яго аксыдаў. На падложцы цьвёрда замацоўваюцца злучаныя між сабой стужкавымі праваднікамі ЭРЭ. Пасіўныя ЭРЭ бываюць навяснымі і стужкавымі.
- Паводле выгляду апрацоўваных зьвестак: аналягавы і лічбавы.
- Паводле колькасьці складнікаў на падложцы: малы, сярэдні, вялікі і звышвялікі[1].
Крыніцы
- ^ а б Валянцін Баранаў, Анатоль Дастанка. Інтэгральная схема // Беларуская энцыкляпэдыя ў 18 тамах / гал.рэд. Генадзь Пашкоў. — Менск: Беларуская энцыкляпэдыя імя Петруся Броўкі, 1998. — Т. 7. — С. 280. — 608 с. — 10 000 ас. — ISBN 985-11-0130-3
Вонкавыя спасылкі
Інтэгральная схема — сховішча мультымэдыйных матэрыялаў