Палявы транзыстар: розьніца паміж вэрсіямі

Змесціва выдалена Змесціва дададзена

Лінейны

Вэрсія ад 14:09, 1 сьнежня 2013

Палявы транзыстар — транзыстар, паўправадніковы прыбор з токаправодным каналам, ток у якім кіруецца электрычным полем, перпендыкулярным да напрамку току^[1].

Працяканьне ў палявым транзыстары току абумоўлена носьбітамі зараду толькі аднаго знаку (электронамі ці дзіркамі), таму такія прыстасаваньні называюць уніпалярнымі (у адрозніньні ад біпалярных).

Клясіфікацыя палявых транзыстараў

Па фізычнай структуры й механізму работы палявыя транзыстары ўмоўна дзеляць на 2 групы. Першую ствараюць транзыстары з кіруемым р-n пераходам або пераходам метал — паўправаднік (бар'ер Шоткі), другую — транзыстары з кіраваньнем пры дапамозе ізаляванага электроду (засаўцы), гэтак званыя транзыстары МДП (метал — дыэлектрык — паўправаднік).

Транзыстары з кіруемым p-n пераходам

Транзістары з ізаляванай засаўкай (МДП-транзістары)

Пялевы транзыстар з ізаляванай засаўкай — гэта палявы транзістар, засаўка якога адасоблена ў электрычных адносінах ад канала слоем дыэлектрыка.

У крыштале паўправадніка з адносна высокім удзельным супраціўленьнем, які называюць падложкай, створаны дзьве моцналегіраваныя вобласьці з супрацьлеглымі адносна падложкі тыпам праводнасьці. На гэтыя вобласьці нанесяны металічныя электроды — выток і сьцёк. Адлегласьць паміж моцналегіраванымі вабласіцямі вытоку і сьцёку можа быць менш за мікрон. Паверхня крышталя паўправадніка паміж вытокам і сьцёкам пакрыта тонкім слоем (каля 0,1 мкм) дыэлектрыка. Паколькі зыходным паўправадніком для палявых транзістараў зьяўляецца крэмн (Si), то ў якасьці дыэлектрыка выкарыстоўваюць слой двувокісу крэмнія SiO₂, вырашчаный на паверхні крышталю крэмнія шляхам высокатэмпэратурнага акісленьня. На слой дыэлектрыка нанесяны металічны электрод — засаўка. Адтрымоўваецца структура, якая складаецца з метала, дыэлектрыка й паўправадніка. Таму палявыя транзыстары з ізаляванай засаўкай часта называюць МДП-транзыстарамі.

Уваходнае супроціўленьне МДП-транзістараў можа дасягаць 10¹⁰...10¹⁴ Ом (у палявых транзыстарах з кіруемым p-n-пераходам 10⁷...10⁹), што зьяўляецца перавагай пры пабудове высакодакладных прыстасаваньняў.

Існуюць дзьве разнастайнасці МДП-транзыстараў: з індуцыраваным каналам і з убудаваным каналам.

МДП-транзыстары з індуцыраваным каналам

У МДП-транзістарах з індуцыраваным каналам праводзячы канал паміж моцналегіраванымі вобласьцямі вытоку й сьцёку адсутнічае й таму заўважны ток сьцёку зьявляецца толькі пры пэўнай палярнасьці і пры пэўным значэньні напружаньня на засаўцы адносна вытоку, якое называюць парогавым напружаньнем (U_ЗИпор).

МДП-транзыстары з убудаваным каналам

У МДП-транзыстарах з убудаваным каналам у паверхні паўправадніка пад засаўкай пры нулявым напружаньні на засаўцы адносна вытоку існуе інверсны слой — канал, які злучае выток са сьцёкам.

МДП-структуры спецыяльнага прызначэньня

Крыніцы

^ М. Е. Левштейн. Полевой транзистор // Физическая энциклопедия / Гл. ред. А. М. Прохоров. Ред.кол.:Д. М. Алексеев, А. М. Бонч-Бруевич, А. С. Боровик-Романов и др. — М.:Большая Российская Энциклопедия. Т.4. Пойнтинга-Робертсона — Стримеры 1994. ISBN 5-85270-087-8 — с. 7.

Вонкавыя спасылкі

Палявы транзыстар — сховішча мультымэдыйных матэрыялаў

[1] М. Е. Левштейн. Полевой транзистор // Физическая энциклопедия / Гл. ред. А. М. Прохоров. Ред.кол.:Д. М. Алексеев, А. М. Бонч-Бруевич, А. С. Боровик-Романов и др. — М.:Большая Российская Энциклопедия. Т.4. Пойнтинга-Робертсона — Стримеры 1994. ISBN 5-85270-087-8 — с. 7.

[1]

@@ Радок 13: / Радок 13: @@
 Пялевы транзыстар з ізаляванай засаўкай — гэта палявы транзістар, засаўка якога адасоблена ў электрычных адносінах ад канала слоем [[дыэлектрык]]а.
-У крыштале паўправадніка з адносна высокім удзельным супраціўленьнем, які называюць падложкай, створаны дзьве моцналегіраваныя вобласьці з супрацьлеглымі адносна падложкі тыпам праводнасьці. На гэтыя вобласьці нанесяны металічныя электроды — выток і сьцёк. Адлегласьць паміж моцналегіраванымі вабласіцямі вытоку і сьцёку можа быць менш за мікрон. Паверхня крышталя паўправадніка паміж вытокам і сьцёкам пакрыта тонкім слоем (каля 0,1 мкм) дыэлектрыка. Паколькі зыходным паўправадніком для палявых транзістараў зьяўляецца [[крэмній]], то ў якасьці дыэлектрыка выкарыстоўваюць слой двувокісу крэмнія SiO<sub>2</sub>, вырашчаный на паверхні крышталю крэмнія шляхам высокатэмпэратурнага акісленьня. На слой дыэлектрыка нанесяны металічны электрод — засаўка. Адтрымоўваецца структура, якая складаецца з метала, дыэлектрыка й паўправадніка. Таму палявыя транзыстары з ізаляванай засаўкай часта называюць МДП-транзыстарамі.
+У крыштале паўправадніка з адносна высокім удзельным супраціўленьнем, які называюць падложкай, створаны дзьве моцналегіраваныя вобласьці з супрацьлеглымі адносна падложкі тыпам праводнасьці. На гэтыя вобласьці нанесяны металічныя электроды — выток і сьцёк. Адлегласьць паміж моцналегіраванымі вабласіцямі вытоку і сьцёку можа быць менш за мікрон. Паверхня крышталя паўправадніка паміж вытокам і сьцёкам пакрыта тонкім слоем (каля 0,1 мкм) дыэлектрыка. Паколькі зыходным паўправадніком для палявых транзістараў зьяўляецца [[крэмн]] (Si), то ў якасьці дыэлектрыка выкарыстоўваюць слой двувокісу крэмнія SiO<sub>2</sub>, вырашчаный на паверхні крышталю крэмнія шляхам высокатэмпэратурнага акісленьня. На слой дыэлектрыка нанесяны металічны электрод — засаўка. Адтрымоўваецца структура, якая складаецца з метала, дыэлектрыка й паўправадніка. Таму палявыя транзыстары з ізаляванай засаўкай часта называюць МДП-транзыстарамі.
 Уваходнае супроціўленьне МДП-транзістараў можа дасягаць 10<sup>10</sup>...10<sup>14</sup> Ом (у палявых транзыстарах з кіруемым p-n-пераходам 10<sup>7</sup>...10<sup>9</sup>), што зьяўляецца перавагай пры пабудове высакодакладных прыстасаваньняў.
@@ Радок 26: / Радок 26: @@
 ==== МДП-структуры спецыяльнага прызначэньня ====
+== Крыніцы ==
+{{Крыніцы}}
 == Вонкавыя спасылкі ==