Палявы транзыстар: розьніца паміж вэрсіямі

Зьвесткі зь Вікіпэдыі — вольнай энцыкляпэдыі
Змесціва выдалена Змесціва дададзена
Legobot (гутаркі | унёсак)
д Bot: Migrating 37 interwiki links, now provided by Wikidata on d:q176097 (translate me)
дапаўненьне
Радок 1: Радок 1:
'''Палявы транзыстар''' — [[паўправаднік|паўправадніковы]] прыбор з токаправодным каналам, ток у якім кіруецца электрычным полем.
'''Палявы транзыстар''' — [[транзыстар]], [[паўправаднік|паўправадніковы]] прыбор з токаправодным каналам, ток у якім кіруецца электрычным полем, перпендыкулярным да напрамку току<ref>М. Е. Левштейн. Полевой транзистор // Физическая энциклопедия / Гл. ред. А. М. Прохоров. Ред.кол.:Д. М. Алексеев, А. М. Бонч-Бруевич, А. С. Боровик-Романов и др. — М.:Большая Российская Энциклопедия. Т.4. Пойнтинга-Робертсона — Стримеры 1994. ISBN 5-85270-087-8 — с. 7.</ref>.


Працяканьне ў палявым транзыстары току абумоўлена носьбітамі зараду толькі аднаго знаку (электронамі ці дзіркамі), таму такія прыстасаваньні называюць уніпалярнымі (у адрозніньні ад біпалярных).
Працяканьне ў палявым транзыстары току абумоўлена носьбітамі зараду толькі аднаго знаку (электронамі ці дзіркамі), таму такія прыстасаваньні называюць уніпалярнымі (у адрозніньні ад біпалярных).

Вэрсія ад 14:05, 1 сьнежня 2013

Палявы транзыстартранзыстар, паўправадніковы прыбор з токаправодным каналам, ток у якім кіруецца электрычным полем, перпендыкулярным да напрамку току[1].

Працяканьне ў палявым транзыстары току абумоўлена носьбітамі зараду толькі аднаго знаку (электронамі ці дзіркамі), таму такія прыстасаваньні называюць уніпалярнымі (у адрозніньні ад біпалярных).

Клясіфікацыя палявых транзыстараў

Па фізычнай структуры й механізму работы палявыя транзыстары ўмоўна дзеляць на 2 групы. Першую ствараюць транзыстары з кіруемым р-n пераходам або пераходам метал — паўправаднік (бар'ер Шоткі), другую — транзыстары з кіраваньнем пры дапамозе ізаляванага электроду (засаўцы), гэтак званыя транзыстары МДП (метал — дыэлектрык — паўправаднік).

Транзыстары з кіруемым p-n пераходам

Транзістары з ізаляванай засаўкай (МДП-транзістары)

Пялевы транзыстар з ізаляванай засаўкай — гэта палявы транзістар, засаўка якога адасоблена ў электрычных адносінах ад канала слоем дыэлектрыка.

У крыштале паўправадніка з адносна высокім удзельным супраціўленьнем, які называюць падложкай, створаны дзьве моцналегіраваныя вобласьці з супрацьлеглымі адносна падложкі тыпам праводнасьці. На гэтыя вобласьці нанесяны металічныя электроды — выток і сьцёк. Адлегласьць паміж моцналегіраванымі вабласіцямі вытоку і сьцёку можа быць менш за мікрон. Паверхня крышталя паўправадніка паміж вытокам і сьцёкам пакрыта тонкім слоем (каля 0,1 мкм) дыэлектрыка. Паколькі зыходным паўправадніком для палявых транзістараў зьяўляецца крэмній, то ў якасьці дыэлектрыка выкарыстоўваюць слой двувокісу крэмнія SiO2, вырашчаный на паверхні крышталю крэмнія шляхам высокатэмпэратурнага акісленьня. На слой дыэлектрыка нанесяны металічны электрод — засаўка. Адтрымоўваецца структура, якая складаецца з метала, дыэлектрыка й паўправадніка. Таму палявыя транзыстары з ізаляванай засаўкай часта называюць МДП-транзыстарамі.

Уваходнае супроціўленьне МДП-транзістараў можа дасягаць 1010...1014 Ом (у палявых транзыстарах з кіруемым p-n-пераходам 107...109), што зьяўляецца перавагай пры пабудове высакодакладных прыстасаваньняў.

Існуюць дзьве разнастайнасці МДП-транзыстараў: з індуцыраваным каналам і з убудаваным каналам.

МДП-транзыстары з індуцыраваным каналам

У МДП-транзістарах з індуцыраваным каналам праводзячы канал паміж моцналегіраванымі вобласьцямі вытоку й сьцёку адсутнічае й таму заўважны ток сьцёку зьявляецца толькі пры пэўнай палярнасьці і пры пэўным значэньні напружаньня на засаўцы адносна вытоку, якое называюць парогавым напружаньнем (UЗИпор).

МДП-транзыстары з убудаваным каналам

У МДП-транзыстарах з убудаваным каналам у паверхні паўправадніка пад засаўкай пры нулявым напружаньні на засаўцы адносна вытоку існуе інверсны слой — канал, які злучае выток са сьцёкам.

МДП-структуры спецыяльнага прызначэньня

Вонкавыя спасылкі

Палявы транзыстарсховішча мультымэдыйных матэрыялаў

  1. ^ М. Е. Левштейн. Полевой транзистор // Физическая энциклопедия / Гл. ред. А. М. Прохоров. Ред.кол.:Д. М. Алексеев, А. М. Бонч-Бруевич, А. С. Боровик-Романов и др. — М.:Большая Российская Энциклопедия. Т.4. Пойнтинга-Робертсона — Стримеры 1994. ISBN 5-85270-087-8 — с. 7.