DRAM: розьніца паміж вэрсіямі
д Bot: Migrating 35 interwiki links, now provided by Wikidata on d:q189396 (translate me) |
выява |
||
| Радок 1: | Радок 1: | ||
[[Файл:RAM n.jpg|thumb|Розныя віды DRAM, зьверху ўніз: DIP, SIPP, SIMM (30-pin), SIMM (72-pin), DIMM (168-pin), DDR DIMM (184-pin).]] |
|||
'''DRAM''' ці '''Дынамічная памяць з адвольным доступам''' ({{lang-en|Dynamic random-access memory}}) — тып [[Памяць з адвольным доступам|памяці з адвольным доступам]], у якім кожны біт памяці захоўваецца ў асобным [[кандэнсатар]]ы на [[мікрасхема|мікрасхеме]]. Кандэнсатар можа быць або зараджаным, або разраджаным, таму паводле стану зараджанасьці вызначаецца значэньне — 1 ці 0. Паколькі зарад у кандэнсатары зь часам зьнікае, адпаведна зьнікаюць і зьвесткі, таму зьвесткі ў ячэйках счытваюцца і перазапісваюцца наноў — кожная такая апэрацыя называецца ''[[Рэгенэрацыя памяці|крокам рэгенэрацыі]]''<ref>{{Кніга|аўтар =[[Мікола Савіцкі]]|частка = |загаловак =Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы|арыгінал = |спасылка =http://www.nastaunik.info/files/f/332_savicki.pdf|адказны = |выданьне = |месца =Менск|выдавецтва =[[Энцыклапедыкс]]|год =2009|том = |старонкі =100|старонак =300|сэрыя = |isbn =978-985-6742-83-8|наклад =100}}</ref>. З-за неабходнасьці абнаўленьня зьвестак гэты тып памяці называецца ''дынамічным'', у процівагу [[SRAM]] і іншым тыпам ''статычнай памяці''. |
'''DRAM''' ці '''Дынамічная памяць з адвольным доступам''' ({{lang-en|Dynamic random-access memory}}) — тып [[Памяць з адвольным доступам|памяці з адвольным доступам]], у якім кожны біт памяці захоўваецца ў асобным [[кандэнсатар]]ы на [[мікрасхема|мікрасхеме]]. Кандэнсатар можа быць або зараджаным, або разраджаным, таму паводле стану зараджанасьці вызначаецца значэньне — 1 ці 0. Паколькі зарад у кандэнсатары зь часам зьнікае, адпаведна зьнікаюць і зьвесткі, таму зьвесткі ў ячэйках счытваюцца і перазапісваюцца наноў — кожная такая апэрацыя называецца ''[[Рэгенэрацыя памяці|крокам рэгенэрацыі]]''<ref>{{Кніга|аўтар =[[Мікола Савіцкі]]|частка = |загаловак =Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы|арыгінал = |спасылка =http://www.nastaunik.info/files/f/332_savicki.pdf|адказны = |выданьне = |месца =Менск|выдавецтва =[[Энцыклапедыкс]]|год =2009|том = |старонкі =100|старонак =300|сэрыя = |isbn =978-985-6742-83-8|наклад =100}}</ref>. З-за неабходнасьці абнаўленьня зьвестак гэты тып памяці называецца ''дынамічным'', у процівагу [[SRAM]] і іншым тыпам ''статычнай памяці''. |
||
| Радок 13: | Радок 14: | ||
* [[Флэш-памяць]] |
* [[Флэш-памяць]] |
||
{{Накід:Кампутары}} |
|||
| ⚫ | |||
| ⚫ | |||
[[el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης#Τύποι μνήμης RAM]] |
|||
Вэрсія ад 17:01, 26 ліпеня 2013
DRAM ці Дынамічная памяць з адвольным доступам (па-ангельску: Dynamic random-access memory) — тып памяці з адвольным доступам, у якім кожны біт памяці захоўваецца ў асобным кандэнсатары на мікрасхеме. Кандэнсатар можа быць або зараджаным, або разраджаным, таму паводле стану зараджанасьці вызначаецца значэньне — 1 ці 0. Паколькі зарад у кандэнсатары зь часам зьнікае, адпаведна зьнікаюць і зьвесткі, таму зьвесткі ў ячэйках счытваюцца і перазапісваюцца наноў — кожная такая апэрацыя называецца крокам рэгенэрацыі[1]. З-за неабходнасьці абнаўленьня зьвестак гэты тып памяці называецца дынамічным, у процівагу SRAM і іншым тыпам статычнай памяці.
Дынамічная памяць часьцей за ўсё займае ролю асноўнай памяці кампутара. Яна выкарыстоўваецца ў той жа ролі ў ноўтбуках і працоўных станцыях, а таксама ў некаторых гульнявых прыстаўках.
Перавагай DRAM зьяўляецца канструкцыйная простасцьць: усяго адзін транзыстар і кандэнсатар на біт інфармацыі. У сваю чаргу, для аднаго біту інфармацыі ў статычнай памяці неабходна чатыры або шэсьць транзыстараў. З гэтай прычыны дасягаецца вялікая шчыльнасьць захаваных зьвестак. Параўнальна з флэш-памяцьцю, DRAM ёсьць энэргазалежнай, бо хутка губляе зьвесткі пасьля страты электрасілкаваньня. Памер транзыстараў і кандэнсатараў у дынамічнай памяці вельмі малы: на адзін чып могуць зьмясьціцца мільярды.
Крыніцы
- ^ Мікола Савіцкі Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы. — Менск: Энцыклапедыкс, 2009. — С. 100. — 300 с. — 100 ас. — ISBN 978-985-6742-83-8