Памяць з адвольным доступам: розьніца паміж вэрсіямі

Зьвесткі зь Вікіпэдыі — вольнай энцыкляпэдыі
Змесціва выдалена Змесціва дададзена
MerlIwBot (гутаркі | унёсак)
д робат дадаў: si:රැම්
Legobot (гутаркі | унёсак)
д Bot: Migrating 88 interwiki links, now provided by Wikidata on d:q5295 (translate me)
Радок 35: Радок 35:
[[Катэгорыя:Кампутарная памяць]]
[[Катэгорыя:Кампутарная памяць]]
[[Катэгорыя:Зьявіліся ў 1947 годзе]]
[[Катэгорыя:Зьявіліся ў 1947 годзе]]

[[af:Ewetoeganklike geheue]]
[[als:Random-Access Memory]]
[[ar:ذاكرة الوصول العشوائي]]
[[an:RAM]]
[[az:Operativ yaddaş qurğusu]]
[[bn:র‌্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমোরি]]
[[be:Памяць з адвольным доступам]]
[[bg:Памет с произволен достъп]]
[[bs:RAM]]
[[br:Memor bresk]]
[[ca:RAM]]
[[cs:RAM]]
[[da:RAM]]
[[de:Random-Access Memory]]
[[et:Muutmälu]]
[[el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης]]
[[en:Random-access memory]]
[[es:Memoria de acceso aleatorio]]
[[eo:Ĉefmemoro]]
[[ext:RAM]]
[[eu:Random Access Memory]]
[[fa:حافظه دسترسی تصادفی]]
[[fr:Mémoire vive]]
[[fy:Wurkûnthâld]]
[[fur:RAM]]
[[ga:Cuimhne randamrochtana]]
[[gl:Memoria de acceso aleatorio]]
[[ko:랜덤 액세스 메모리]]
[[hi:रैम (RAM)]]
[[hr:RAM]]
[[id:Memori akses acak]]
[[is:RAM]]
[[it:RAM]]
[[he:זיכרון גישה אקראית]]
[[jv:RAM]]
[[ka:ოპერატიული მეხსიერება]]
[[kk:Жедел Жадтау Құрылғысы]]
[[sw:RAM]]
[[ky:Жады (эстутум) (RAM)]]
[[la:RAM]]
[[lv:Brīvpiekļuves atmiņa]]
[[lt:Kompiuterio atmintis]]
[[lmo:RAM]]
[[hu:RAM]]
[[mk:RAM меморија]]
[[ml:റാൻഡം ആക്സസ് മെമ്മറി]]
[[mr:रॅम]]
[[xmf:ოპერატიული შვენა]]
[[arz:رام]]
[[ms:Ingatan capaian rawak]]
[[mn:Шуурхай санах ой]]
[[nl:Random-access memory]]
[[ne:र्‍याम]]
[[new:राम् (सन् २००५या संकिपा)]]
[[ja:Random Access Memory]]
[[no:RAM]]
[[nn:Random Access Memory]]
[[oc:RAM]]
[[pa:ਰੈਂਡਮ-ਐਕਸੈਸ ਮੈਮੋਰੀ]]
[[pnb:ریم]]
[[ps:RAM]]
[[pl:RAM]]
[[pt:RAM]]
[[ro:Memorie cu acces aleator]]
[[rue:Операчна память]]
[[ru:Запоминающее устройство с произвольным доступом]]
[[sah:RAM]]
[[sq:RAM]]
[[si:රැම්]]
[[simple:Random access memory]]
[[sk:Pamäť s priamym prístupom]]
[[sl:Bralno-pisalni pomnilnik]]
[[sr:RAM (меморија)]]
[[sh:RAM]]
[[fi:Keskusmuisti]]
[[sv:Random Access Memory]]
[[ta:நேரடி அணுகல் நினைவகம்]]
[[th:แรม]]
[[tg:Хотираи дастраси аҳёнӣ]]
[[tr:RAM]]
[[uk:Оперативна пам'ять]]
[[ur:تصادفی رسائی حافظہ]]
[[vec:RAM]]
[[vi:RAM]]
[[war:RAM]]
[[yi:RAM זיכרון]]
[[zh-yue:RAM]]
[[zh:随机存取存储器]]

Вэрсія ад 03:30, 9 сакавіка 2013

Прыклад энэргазалежнае памяці з адвольным доступам: SDRAM — звычайна выкарыстоўваецца ў якасьці асноўнае памяці ў пэрсанальных кампутарах і сэрвэрах.

Памяць з адвольным доступам, апэратыўная памяць (па-ангельску: Random-access memory, RAM) — адзін зь відаў кампутарнае памяці. На сёняшні дзень уяўляе сабой набор інтэгральных схемаў, якія дазваляюць доступ на запіс і чытаньне да любой (адвольнай) ячэйкі захаванае інфармацыі[1]. Слова адвольны ў гэтым выпадку падкрэсьлівае тое, што пэўная адзінка інфармацыі можа быць атрымана за пэўны прамежак часу незалежна ад яе фізычнага месцазнаходжаньня й залежнасьці ад папярэдняе адзінкі інфармацыі.[2] Гэтым апэратыўная памяць адрозьніваецца ад такіх носьбітаў інфармацыі, як цьвёрды дыск, CD- і DVD-дыск, або магнітная стужка: пасьлядоўнае счытваньне зьвестак і іх захаваньне ў перадвызначаным парадку — наступства канструкцыйных абмежаваньняў.

Абрэвіятура RAM звычайна асацыюецца з энэргазалежнай памяцьцю (якой зьяўляюцца модулі памяці кшталту DRAM), якая губляе ўсю зьмешчаную ў сябе інфармацыю пасьля губленьня электрычнае напругі.

Першыя RAM-модулі памяці, прыдатныя для масавага выкарыстаньня (на аснове магнітных асяродкаў), зьявіліся на рынку ў 1951 годзе і сыйшлі зь яго на мяжы 6070-х гадоў, пасьля чаго наступіла эра паўправадніковай памяці.

Гісторыя

1-мэгабайтны чып — адна з апошніх мадэляў Carl Zeiss AG, распрацаваная у 1989 годзе.

Першыя кампутары ў якасьці асноўнай прылады для захаваньня зьвестак выкарыстоўвалі рэле і лініі затрымкі. Ультрагукавыя лініі затрымкі маглі ўзнавіць зьвесткі толькі ў тым выглядзе, у якім яны былі запісаныя. Магнітныя барабаны мелі нізкі кошт маштабаваньня, але атрыманьне непасьлядоўных кавалкаў інфармацыі было праблематычным бязь ведаў пра будову і працу прыбора. Трыгеры на трыёдах, а потым на дыскрэтных транзыстарах, выкарыстоўваліся ў меншых і хутчэйшых тыпах памяці, такіх як банкі рэгістраў з адвольным доступам. Тамтэйшыя рэгістры былі адносна вялікія, але акрамя памераў яны спажывалі шмат энэргіі і каштавалі зашмат для выкарыстаньня разам зь вялікімі аб’ёмамі зьвестак. Часьцей за ўсё пабудаваныя такім чынам элемэнты памяці маглі ўтрымліваць колькі соцень або тысяч бітаў памяці.

Першай сапраўднай памяцьцю з адвольным доступам лічыцца трубка Ўільямза, створаная ў 1947 годзе. У якасьці носьбіту зьвестак у электронна-прамянёвай трубцы выступаў экран, пэўныя вобласьці якога зараджаліся для захаваньня інфармацыі. Адвольнасьць доступу дасягалася за конт таго, што электронны прамень трубкі мог счытваць і запісваць вобласьці экрану ў адвольным парадку. Аб’ём зьвестак у трубцы Ўільямза не перавышаў тысячу біт, але новая прылада была хутчэйшай, меншай у памерах і энэргаашчаджальнай, у адрозьненьні ад электравакуўмных трыгераў.

У 1947 годзе быў таксама вынайдзены іншы тып памяці з адвольным доступам — памяць на магнітных асяродках. Гэтая памяць паўсюдна выкарыстоўвалася да сярэдзіны 1970-х гадоў. Гэтая памяць уяўляла сабою шэраг намагнічаных фэрытавых кольцаў. Кожнае кольца адказвала за адзін біт інфармацыі, а яго стан — 0 або 1 — адпавядаў вызначанаму накірунку намагнічанасьці. Адзін блёк памяці ўяўляў сабою матрыцу з кольцаў, да кожнага зь якім падводзіліся правады для чытаньня і запісу зьвестак. Такім чынам забясьпечваўся адвольны доступ да інфармацыі.

Памяць на магнітных асяродках заставалася стандартам кампутарнай памяці да сярэдзіны 1970-х гадоў, калі ён на зьмену прыйшла цьвердацельная памяць на інтэгральных схемах. У 1968 годзе Робэрт Дэнард(en) вынайшаў DRAM — дынамічную памяць з адвольным доступам. Дэнард прапанаваў замяніць 4- або 6-транзыстарны трыгер адным транзыстарам, які б адказваў за адзін біт. Гэта дазваляла значна ўшчыльніць памяць, але за кошт зьяўленьня энэргазалежнасьці: зьвесткі захоўваліся за кошт уласнай электрычнай ёмістасьці транзыстараў і патрабавалі сталага абнаўленьня за некалькі мілісэкундаў да таго, як электрычны зарад зьнікне.

Віды памяці

Зьверху ўніз, зьлева направа:
DDR2 з радыятарам, DDR2 без радыятара, DDR2 для ноўтбукаў, DDR і DDR для ноўтбукаў.

Сучасная памяць з адвольным доступам бывае двух відаў: статычная (SRAM) і дынамічная (DRAM). Кожны біт памяці ў SRAM захоўваецца ў асобным трыгеры, стан якога адпавядае значэньню біта. Статычная памяць даражэйшая ў вытворчасьці, але працуе хутчэй і спажывае менш электраэнэргіі за DRAM, таму часта выкарыстоўваецца для кэш-памяці ў працэсарах. DRAM жа адзін біт трымае ў асобнай ячэйцы памяці — пары транзыстар-кандэнсатар: кандэнсатар утрымлівае вялікі або малы зарад (1 ці 0 адпаведна), а транзыстар грае ролю пераключальніка, які дазваляе счытваць значэньне або зьмяняць яго, зьмяніўшы зарад у кандэнсатары. З-за таго, што падобная схема зьяўляецца таньнейшай, яна атрымала шырэйшае распаўсюджаньне ў сучасных кампутарах.

Абодва віды памяці зьяўляюцца энэргазалежнымі — са стратай электрычнасьці зьнікаюць і зьвесткі. У процівагу, памяць толькі для чытаньня (ROM) можа захоўвацца і пасьля сканчэньня падачы электрычнасьці шляхам уключэньня ці выключэньня патрэбных транзыстараў, але зьвесткі ня могуць быць зьмененыя. Але ж існуць віды ROM-памяці (напрыклад, EEPROM ці флэш-памяць), якія спалучаюць уласьцівасьці ROM- і RAM-памяці, такім чынам дазваляючы захоўваць зьвесткі без падачы току і зьмяняць іх без адмысловых прыладаў. Прыкладамі падобнай памяці зьяўляюцца USB-флэш-дыскі, карты памяці для тэлефонаў і фотаапаратаў і гэтак далей.

ECC-памяць (якая можа быць як статычнай, гэтак і дынамічнай) зьмяшчае адмысловыя мікрасхемы для выяўленьня і/або выпраўленьня збояў (памылак памяці) ва ўтрыманых зьвестак з дапамогай бітаў цотнасьці і тэхналёгіяў для карэкцыі памылак.

Крыніцы

  1. ^ Мікола Савіцкі Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы. — Менск: Энцыклапедыкс, 2009. — ISBN 978-985-6742-83-8
  2. ^ У прынцыповым разуменьні «адвольнасьці», сучасныя віды DRAM-памяці не надаюць фактычна адвольны доступ, таму што памяць на самой справе чытаецца блёкамі. Між тым, многія віды SRAM, ROM, NOR-флэшпамяці і іншыя могуць зьяўляцца памяцьцю з адвольным доступам нават у прынцыповым разуменьні.

Вонкавыя спасылкі

Памяць з адвольным доступамсховішча мультымэдыйных матэрыялаў