Памяць з адвольным доступам: розьніца паміж вэрсіямі
д робат дадаў: si:රැම් |
д Bot: Migrating 88 interwiki links, now provided by Wikidata on d:q5295 (translate me) |
||
Радок 35: | Радок 35: | ||
[[Катэгорыя:Кампутарная памяць]] |
[[Катэгорыя:Кампутарная памяць]] |
||
[[Катэгорыя:Зьявіліся ў 1947 годзе]] |
[[Катэгорыя:Зьявіліся ў 1947 годзе]] |
||
[[af:Ewetoeganklike geheue]] |
|||
[[als:Random-Access Memory]] |
|||
[[ar:ذاكرة الوصول العشوائي]] |
|||
[[an:RAM]] |
|||
[[az:Operativ yaddaş qurğusu]] |
|||
[[bn:র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমোরি]] |
|||
[[be:Памяць з адвольным доступам]] |
|||
[[bg:Памет с произволен достъп]] |
|||
[[bs:RAM]] |
|||
[[br:Memor bresk]] |
|||
[[ca:RAM]] |
|||
[[cs:RAM]] |
|||
[[da:RAM]] |
|||
[[de:Random-Access Memory]] |
|||
[[et:Muutmälu]] |
|||
[[el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης]] |
|||
[[en:Random-access memory]] |
|||
[[es:Memoria de acceso aleatorio]] |
|||
[[eo:Ĉefmemoro]] |
|||
[[ext:RAM]] |
|||
[[eu:Random Access Memory]] |
|||
[[fa:حافظه دسترسی تصادفی]] |
|||
[[fr:Mémoire vive]] |
|||
[[fy:Wurkûnthâld]] |
|||
[[fur:RAM]] |
|||
[[ga:Cuimhne randamrochtana]] |
|||
[[gl:Memoria de acceso aleatorio]] |
|||
[[ko:랜덤 액세스 메모리]] |
|||
[[hi:रैम (RAM)]] |
|||
[[hr:RAM]] |
|||
[[id:Memori akses acak]] |
|||
[[is:RAM]] |
|||
[[it:RAM]] |
|||
[[he:זיכרון גישה אקראית]] |
|||
[[jv:RAM]] |
|||
[[ka:ოპერატიული მეხსიერება]] |
|||
[[kk:Жедел Жадтау Құрылғысы]] |
|||
[[sw:RAM]] |
|||
[[ky:Жады (эстутум) (RAM)]] |
|||
[[la:RAM]] |
|||
[[lv:Brīvpiekļuves atmiņa]] |
|||
[[lt:Kompiuterio atmintis]] |
|||
[[lmo:RAM]] |
|||
[[hu:RAM]] |
|||
[[mk:RAM меморија]] |
|||
[[ml:റാൻഡം ആക്സസ് മെമ്മറി]] |
|||
[[mr:रॅम]] |
|||
[[xmf:ოპერატიული შვენა]] |
|||
[[arz:رام]] |
|||
[[ms:Ingatan capaian rawak]] |
|||
[[mn:Шуурхай санах ой]] |
|||
[[nl:Random-access memory]] |
|||
[[ne:र्याम]] |
|||
[[new:राम् (सन् २००५या संकिपा)]] |
|||
[[ja:Random Access Memory]] |
|||
[[no:RAM]] |
|||
[[nn:Random Access Memory]] |
|||
[[oc:RAM]] |
|||
[[pa:ਰੈਂਡਮ-ਐਕਸੈਸ ਮੈਮੋਰੀ]] |
|||
[[pnb:ریم]] |
|||
[[ps:RAM]] |
|||
[[pl:RAM]] |
|||
[[pt:RAM]] |
|||
[[ro:Memorie cu acces aleator]] |
|||
[[rue:Операчна память]] |
|||
[[ru:Запоминающее устройство с произвольным доступом]] |
|||
[[sah:RAM]] |
|||
[[sq:RAM]] |
|||
[[si:රැම්]] |
|||
[[simple:Random access memory]] |
|||
[[sk:Pamäť s priamym prístupom]] |
|||
[[sl:Bralno-pisalni pomnilnik]] |
|||
[[sr:RAM (меморија)]] |
|||
[[sh:RAM]] |
|||
[[fi:Keskusmuisti]] |
|||
[[sv:Random Access Memory]] |
|||
[[ta:நேரடி அணுகல் நினைவகம்]] |
|||
[[th:แรม]] |
|||
[[tg:Хотираи дастраси аҳёнӣ]] |
|||
[[tr:RAM]] |
|||
[[uk:Оперативна пам'ять]] |
|||
[[ur:تصادفی رسائی حافظہ]] |
|||
[[vec:RAM]] |
|||
[[vi:RAM]] |
|||
[[war:RAM]] |
|||
[[yi:RAM זיכרון]] |
|||
[[zh-yue:RAM]] |
|||
[[zh:随机存取存储器]] |
Вэрсія ад 03:30, 9 сакавіка 2013
Памяць з адвольным доступам, апэратыўная памяць (па-ангельску: Random-access memory, RAM) — адзін зь відаў кампутарнае памяці. На сёняшні дзень уяўляе сабой набор інтэгральных схемаў, якія дазваляюць доступ на запіс і чытаньне да любой (адвольнай) ячэйкі захаванае інфармацыі[1]. Слова адвольны ў гэтым выпадку падкрэсьлівае тое, што пэўная адзінка інфармацыі можа быць атрымана за пэўны прамежак часу незалежна ад яе фізычнага месцазнаходжаньня й залежнасьці ад папярэдняе адзінкі інфармацыі.[2] Гэтым апэратыўная памяць адрозьніваецца ад такіх носьбітаў інфармацыі, як цьвёрды дыск, CD- і DVD-дыск, або магнітная стужка: пасьлядоўнае счытваньне зьвестак і іх захаваньне ў перадвызначаным парадку — наступства канструкцыйных абмежаваньняў.
Абрэвіятура RAM звычайна асацыюецца з энэргазалежнай памяцьцю (якой зьяўляюцца модулі памяці кшталту DRAM), якая губляе ўсю зьмешчаную ў сябе інфармацыю пасьля губленьня электрычнае напругі.
Першыя RAM-модулі памяці, прыдатныя для масавага выкарыстаньня (на аснове магнітных асяродкаў), зьявіліся на рынку ў 1951 годзе і сыйшлі зь яго на мяжы 60—70-х гадоў, пасьля чаго наступіла эра паўправадніковай памяці.
Гісторыя
Першыя кампутары ў якасьці асноўнай прылады для захаваньня зьвестак выкарыстоўвалі рэле і лініі затрымкі. Ультрагукавыя лініі затрымкі маглі ўзнавіць зьвесткі толькі ў тым выглядзе, у якім яны былі запісаныя. Магнітныя барабаны мелі нізкі кошт маштабаваньня, але атрыманьне непасьлядоўных кавалкаў інфармацыі было праблематычным бязь ведаў пра будову і працу прыбора. Трыгеры на трыёдах, а потым на дыскрэтных транзыстарах, выкарыстоўваліся ў меншых і хутчэйшых тыпах памяці, такіх як банкі рэгістраў з адвольным доступам. Тамтэйшыя рэгістры былі адносна вялікія, але акрамя памераў яны спажывалі шмат энэргіі і каштавалі зашмат для выкарыстаньня разам зь вялікімі аб’ёмамі зьвестак. Часьцей за ўсё пабудаваныя такім чынам элемэнты памяці маглі ўтрымліваць колькі соцень або тысяч бітаў памяці.
Першай сапраўднай памяцьцю з адвольным доступам лічыцца трубка Ўільямза, створаная ў 1947 годзе. У якасьці носьбіту зьвестак у электронна-прамянёвай трубцы выступаў экран, пэўныя вобласьці якога зараджаліся для захаваньня інфармацыі. Адвольнасьць доступу дасягалася за конт таго, што электронны прамень трубкі мог счытваць і запісваць вобласьці экрану ў адвольным парадку. Аб’ём зьвестак у трубцы Ўільямза не перавышаў тысячу біт, але новая прылада была хутчэйшай, меншай у памерах і энэргаашчаджальнай, у адрозьненьні ад электравакуўмных трыгераў.
У 1947 годзе быў таксама вынайдзены іншы тып памяці з адвольным доступам — памяць на магнітных асяродках. Гэтая памяць паўсюдна выкарыстоўвалася да сярэдзіны 1970-х гадоў. Гэтая памяць уяўляла сабою шэраг намагнічаных фэрытавых кольцаў. Кожнае кольца адказвала за адзін біт інфармацыі, а яго стан — 0 або 1 — адпавядаў вызначанаму накірунку намагнічанасьці. Адзін блёк памяці ўяўляў сабою матрыцу з кольцаў, да кожнага зь якім падводзіліся правады для чытаньня і запісу зьвестак. Такім чынам забясьпечваўся адвольны доступ да інфармацыі.
Памяць на магнітных асяродках заставалася стандартам кампутарнай памяці да сярэдзіны 1970-х гадоў, калі ён на зьмену прыйшла цьвердацельная памяць на інтэгральных схемах. У 1968 годзе Робэрт Дэнард(en) вынайшаў DRAM — дынамічную памяць з адвольным доступам. Дэнард прапанаваў замяніць 4- або 6-транзыстарны трыгер адным транзыстарам, які б адказваў за адзін біт. Гэта дазваляла значна ўшчыльніць памяць, але за кошт зьяўленьня энэргазалежнасьці: зьвесткі захоўваліся за кошт уласнай электрычнай ёмістасьці транзыстараў і патрабавалі сталага абнаўленьня за некалькі мілісэкундаў да таго, як электрычны зарад зьнікне.
Віды памяці
Сучасная памяць з адвольным доступам бывае двух відаў: статычная (SRAM) і дынамічная (DRAM). Кожны біт памяці ў SRAM захоўваецца ў асобным трыгеры, стан якога адпавядае значэньню біта. Статычная памяць даражэйшая ў вытворчасьці, але працуе хутчэй і спажывае менш электраэнэргіі за DRAM, таму часта выкарыстоўваецца для кэш-памяці ў працэсарах. DRAM жа адзін біт трымае ў асобнай ячэйцы памяці — пары транзыстар-кандэнсатар: кандэнсатар утрымлівае вялікі або малы зарад (1 ці 0 адпаведна), а транзыстар грае ролю пераключальніка, які дазваляе счытваць значэньне або зьмяняць яго, зьмяніўшы зарад у кандэнсатары. З-за таго, што падобная схема зьяўляецца таньнейшай, яна атрымала шырэйшае распаўсюджаньне ў сучасных кампутарах.
Абодва віды памяці зьяўляюцца энэргазалежнымі — са стратай электрычнасьці зьнікаюць і зьвесткі. У процівагу, памяць толькі для чытаньня (ROM) можа захоўвацца і пасьля сканчэньня падачы электрычнасьці шляхам уключэньня ці выключэньня патрэбных транзыстараў, але зьвесткі ня могуць быць зьмененыя. Але ж існуць віды ROM-памяці (напрыклад, EEPROM ці флэш-памяць), якія спалучаюць уласьцівасьці ROM- і RAM-памяці, такім чынам дазваляючы захоўваць зьвесткі без падачы току і зьмяняць іх без адмысловых прыладаў. Прыкладамі падобнай памяці зьяўляюцца USB-флэш-дыскі, карты памяці для тэлефонаў і фотаапаратаў і гэтак далей.
ECC-памяць (якая можа быць як статычнай, гэтак і дынамічнай) зьмяшчае адмысловыя мікрасхемы для выяўленьня і/або выпраўленьня збояў (памылак памяці) ва ўтрыманых зьвестак з дапамогай бітаў цотнасьці і тэхналёгіяў для карэкцыі памылак.
Крыніцы
- ^ Мікола Савіцкі Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы. — Менск: Энцыклапедыкс, 2009. — ISBN 978-985-6742-83-8
- ^ У прынцыповым разуменьні «адвольнасьці», сучасныя віды DRAM-памяці не надаюць фактычна адвольны доступ, таму што памяць на самой справе чытаецца блёкамі. Між тым, многія віды SRAM, ROM, NOR-флэшпамяці і іншыя могуць зьяўляцца памяцьцю з адвольным доступам нават у прынцыповым разуменьні.
Вонкавыя спасылкі
Памяць з адвольным доступам — сховішча мультымэдыйных матэрыялаў