Памяць з адвольным доступам: розьніца паміж вэрсіямі
+Катэгорыя:Зьявіліся ў 1947 годзе; ±Катэгорыя:Апаратнае забесьпячэньне→Катэгорыя:Кампутарная памяць з дапамогай [[Вікіпэдыя:Прылад... |
д выпраўленьне спасылак |
||
Радок 1: | Радок 1: | ||
[[Файл:Memory module DDRAM 20-03-2006.jpg|thumb|Прыклад [[энэргазалежная памяць|энэргазалежнае]] памяці з адвольным доступам: [[DDR SDRAM|SDRAM]] — звычайна выкарыстоўваецца ў якасьці асноўнае памяці ў [[Пэрсанальны кампутар|пэрсанальных кампутарах]] і [[сэрвэр]] |
[[Файл:Memory module DDRAM 20-03-2006.jpg|thumb|Прыклад [[энэргазалежная памяць|энэргазалежнае]] памяці з адвольным доступам: [[DDR SDRAM|SDRAM]] — звычайна выкарыстоўваецца ў якасьці асноўнае памяці ў [[Пэрсанальны кампутар|пэрсанальных кампутарах]] і [[сэрвэр (апаратнае забесьпячэньне)|сэрвэрах]].]] |
||
'''Памяць з адвольным доступам''', '''апэратыўная памяць''' ({{lang-en|Random-access memory, RAM}}) — адзін зь відаў кампутарнае памяці. На сёняшні дзень уяўляе сабой набор інтэгральных схемаў, якія дазваляюць доступ на запіс і чытаньне да любой (адвольнай) ячэйкі захаванае інфармацыі<ref>{{кніга|url=http://nastaunik.info/files/f/332_savicki.pdf|загаловак=Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы|месца=Менск|выдавецтва=Энцыклапедыкс|год=2009|аўтар=Мікола Савіцкі|isbn=978-985-6742-83-8}}</ref>. Слова ''адвольны'' ў гэтым выпадку падкрэсьлівае тое, што пэўная адзінка інфармацыі можа быць атрымана за пэўны прамежак часу незалежна ад яе фізычнага месцазнаходжаньня й залежнасьці ад папярэдняе адзінкі інфармацыі.<ref name="nonrandom">У прынцыповым разуменьні «адвольнасьці», сучасныя віды DRAM-памяці не надаюць фактычна адвольны доступ, таму што памяць на самой справе чытаецца блёкамі. Між тым, многія віды [[SRAM]], [[ROM]], [[NOR]]-флэшпамяці і іншыя могуць зьяўляцца памяцьцю з адвольным доступам нават у прынцыповым разуменьні.</ref> Гэтым апэратыўная памяць адрозьніваецца ад такіх носьбітаў інфармацыі, як [[цьвёрды дыск]], [[CD]]- і [[DVD]]-дыск, або [[магнітная стужка]]: пасьлядоўнае счытваньне зьвестак і іх захаваньне ў перадвызначаным парадку — наступства канструкцыйных абмежаваньняў. |
'''Памяць з адвольным доступам''', '''апэратыўная памяць''' ({{lang-en|Random-access memory, RAM}}) — адзін зь відаў кампутарнае памяці. На сёняшні дзень уяўляе сабой набор інтэгральных схемаў, якія дазваляюць доступ на запіс і чытаньне да любой (адвольнай) ячэйкі захаванае інфармацыі<ref>{{кніга|url=http://nastaunik.info/files/f/332_savicki.pdf|загаловак=Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы|месца=Менск|выдавецтва=Энцыклапедыкс|год=2009|аўтар=Мікола Савіцкі|isbn=978-985-6742-83-8}}</ref>. Слова ''адвольны'' ў гэтым выпадку падкрэсьлівае тое, што пэўная адзінка інфармацыі можа быць атрымана за пэўны прамежак часу незалежна ад яе фізычнага месцазнаходжаньня й залежнасьці ад папярэдняе адзінкі інфармацыі.<ref name="nonrandom">У прынцыповым разуменьні «адвольнасьці», сучасныя віды DRAM-памяці не надаюць фактычна адвольны доступ, таму што памяць на самой справе чытаецца блёкамі. Між тым, многія віды [[SRAM]], [[ROM]], [[NOR]]-флэшпамяці і іншыя могуць зьяўляцца памяцьцю з адвольным доступам нават у прынцыповым разуменьні.</ref> Гэтым апэратыўная памяць адрозьніваецца ад такіх носьбітаў інфармацыі, як [[цьвёрды дыск]], [[CD]]- і [[DVD]]-дыск, або [[магнітная стужка]]: пасьлядоўнае счытваньне зьвестак і іх захаваньне ў перадвызначаным парадку — наступства канструкцыйных абмежаваньняў. |
Вэрсія ад 23:45, 17 верасьня 2012
Памяць з адвольным доступам, апэратыўная памяць (па-ангельску: Random-access memory, RAM) — адзін зь відаў кампутарнае памяці. На сёняшні дзень уяўляе сабой набор інтэгральных схемаў, якія дазваляюць доступ на запіс і чытаньне да любой (адвольнай) ячэйкі захаванае інфармацыі[1]. Слова адвольны ў гэтым выпадку падкрэсьлівае тое, што пэўная адзінка інфармацыі можа быць атрымана за пэўны прамежак часу незалежна ад яе фізычнага месцазнаходжаньня й залежнасьці ад папярэдняе адзінкі інфармацыі.[2] Гэтым апэратыўная памяць адрозьніваецца ад такіх носьбітаў інфармацыі, як цьвёрды дыск, CD- і DVD-дыск, або магнітная стужка: пасьлядоўнае счытваньне зьвестак і іх захаваньне ў перадвызначаным парадку — наступства канструкцыйных абмежаваньняў.
Абрэвіятура RAM звычайна асацыюецца з энэргазалежнай памяцьцю (якой зьяўляюцца модулі памяці кшталту DRAM), якая губляе ўсю зьмешчаную ў сябе інфармацыю пасьля губленьня электрычнае напругі.
Першыя RAM-модулі памяці, прыдатныя для масавага выкарыстаньня (на аснове магнітных асяродкаў), зьявіліся на рынку ў 1951 годзе і сыйшлі зь яго на мяжы 60—70-х гадоў, пасьля чаго наступіла эра паўправадніковай памяці.
Гісторыя
Першыя кампутары ў якасьці асноўнай прылады для захаваньня зьвестак выкарыстоўвалі рэле і лініі затрымкі. Ультрагукавыя лініі затрымкі маглі ўзнавіць зьвесткі толькі ў тым выглядзе, у якім яны былі запісаныя. Магнітныя барабаны мелі нізкі кошт маштабаваньня, але атрыманьне непасьлядоўных кавалкаў інфармацыі было праблематычным бязь ведаў пра будову і працу прыбора. Трыгеры на трыёдах, а потым на дыскрэтных транзыстарах, выкарыстоўваліся ў меншых і хутчэйшых тыпах памяці, такіх як банкі рэгістраў з адвольным доступам. Тамтэйшыя рэгістры былі адносна вялікія, але акрамя памераў яны спажывалі шмат энэргіі і каштавалі зашмат для выкарыстаньня разам зь вялікімі аб’ёмамі зьвестак. Часьцей за ўсё пабудаваныя такім чынам элемэнты памяці маглі ўтрымліваць колькі соцень або тысяч бітаў памяці.
Першай сапраўднай памяцьцю з адвольным доступам лічыцца трубка Ўільямза, створаная ў 1947 годзе. У якасьці носьбіту зьвестак у электронна-прамянёвай трубцы выступаў экран, пэўныя вобласьці якога зараджаліся для захаваньня інфармацыі. Адвольнасьць доступу дасягалася за конт таго, што электронны прамень трубкі мог счытваць і запісваць вобласьці экрану ў адвольным парадку. Аб’ём зьвестак у трубцы Ўільямза не перавышаў тысячу біт, але новая прылада была хутчэйшай, меншай у памерах і энэргаашчаджальнай, у адрозьненьні ад электравакуўмных трыгераў.
У 1947 годзе быў таксама вынайдзены іншы тып памяці з адвольным доступам — памяць на магнітных асяродках. Гэтая памяць паўсюдна выкарыстоўвалася да сярэдзіны 1970-х гадоў. Гэтая памяць уяўляла сабою шэраг намагнічаных фэрытавых кольцаў. Кожнае кольца адказвала за адзін біт інфармацыі, а яго стан — 0 або 1 — адпавядаў вызначанаму накірунку намагнічанасьці. Адзін блёк памяці ўяўляў сабою матрыцу з кольцаў, да кожнага зь якім падводзіліся правады для чытаньня і запісу зьвестак. Такім чынам забясьпечваўся адвольны доступ да інфармацыі.
Памяць на магнітных асяродках заставалася стандартам кампутарнай памяці да сярэдзіны 1970-х гадоў, калі ён на зьмену прыйшла цьвердацельная памяць на інтэгральных схемах. У 1968 годзе Робэрт Дэнард(en) вынайшаў DRAM — дынамічную памяць з адвольным доступам. Дэнард прапанаваў замяніць 4- або 6-транзыстарны трыгер адным транзыстарам, які б адказваў за адзін біт. Гэта дазваляла значна ўшчыльніць памяць, але за кошт зьяўленьня энэргазалежнасьці: зьвесткі захоўваліся за кошт уласнай электрычнай ёмістасьці транзыстараў і патрабавалі сталага абнаўленьня за некалькі мілісэкундаў да таго, як электрычны зарад зьнікне.
Віды памяці
Сучасная памяць з адвольным доступам бывае двух відаў: статычная (SRAM) і дынамічная (DRAM). Кожны біт памяці ў SRAM захоўваецца ў асобным трыгеры, стан якога адпавядае значэньню біта. Статычная памяць даражэйшая ў вытворчасьці, але працуе хутчэй і спажывае менш электраэнэргіі за DRAM, таму часта выкарыстоўваецца для кэш-памяці ў працэсарах. DRAM жа адзін біт трымае ў асобнай ячэйцы памяці — пары транзыстар-кандэнсатар: кандэнсатар утрымлівае вялікі або малы зарад (1 ці 0 адпаведна), а транзыстар грае ролю пераключальніка, які дазваляе счытваць значэньне або зьмяняць яго, зьмяніўшы зарад у кандэнсатары. З-за таго, што падобная схема зьяўляецца таньнейшай, яна атрымала шырэйшае распаўсюджаньне ў сучасных кампутарах.
Абодва віды памяці зьяўляюцца энэргазалежнымі — са стратай электрычнасьці зьнікаюць і зьвесткі. У процівагу, памяць толькі для чытаньня (ROM) можа захоўвацца і пасьля сканчэньня падачы электрычнасьці шляхам уключэньня ці выключэньня патрэбных транзыстараў, але зьвесткі ня могуць быць зьмененыя. Але ж існуць віды ROM-памяці (напрыклад, EEPROM ці флэш-памяць), якія спалучаюць уласьцівасьці ROM- і RAM-памяці, такім чынам дазваляючы захоўваць зьвесткі без падачы току і зьмяняць іх без адмысловых прыладаў. Прыкладамі падобнай памяці зьяўляюцца USB-флэш-дыскі, карты памяці для тэлефонаў і фотаапаратаў і гэтак далей.
ECC-памяць (якая можа быць як статычнай, гэтак і дынамічнай) зьмяшчае адмысловыя мікрасхемы для выяўленьня і/або выпраўленьня збояў (памылак памяці) ва ўтрыманых зьвестак з дапамогай бітаў цотнасьці і тэхналёгіяў для карэкцыі памылак.
Крыніцы
- ^ Мікола Савіцкі Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы. — Менск: Энцыклапедыкс, 2009. — ISBN 978-985-6742-83-8
- ^ У прынцыповым разуменьні «адвольнасьці», сучасныя віды DRAM-памяці не надаюць фактычна адвольны доступ, таму што памяць на самой справе чытаецца блёкамі. Між тым, многія віды SRAM, ROM, NOR-флэшпамяці і іншыя могуць зьяўляцца памяцьцю з адвольным доступам нават у прынцыповым разуменьні.
Вонкавыя спасылкі
Памяць з адвольным доступам — сховішча мультымэдыйных матэрыялаў