DRAM: розьніца паміж вэрсіямі
д r2.7.2) (робат дадаў: th:หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต |
д r2.7.3) (робат дадаў: uk:DRAM |
||
Радок 48: | Радок 48: | ||
[[th:หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต]] |
[[th:หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต]] |
||
[[tr:DRAM (bilgisayar)]] |
[[tr:DRAM (bilgisayar)]] |
||
[[uk:DRAM]] |
|||
[[vi:RAM động]] |
[[vi:RAM động]] |
||
[[zh:动态随机存取存储器]] |
[[zh:动态随机存取存储器]] |
Вэрсія ад 11:45, 8 студзеня 2013
DRAM ці Дынамічная памяць з адвольным доступам (па-ангельску: Dynamic random-access memory) — тып памяці з адвольным доступам, у якім кожны біт памяці захоўваецца ў асобным кандэнсатары на мікрасхеме. Кандэнсатар можа быць або зараджаным, або разраджаным, таму паводле стану зараджанасьці вызначаецца значэньне — 1 ці 0. Паколькі зарад у кандэнсатары зь часам зьнікае, адпаведна зьнікаюць і зьвесткі, таму зьвесткі ў ячэйках счытваюцца і перазапісваюцца наноў — кожная такая апэрацыя называецца крокам рэгенэрацыі[1]. З-за неабходнасьці абнаўленьня зьвестак гэты тып памяці называецца дынамічным, у процівагу SRAM і іншым тыпам статычнай памяці.
Дынамічная памяць часьцей за ўсё займае ролю асноўнай памяці кампутара. Яна выкарыстоўваецца ў той жа ролі ў ноўтбуках і працоўных станцыях, а таксама ў некаторых гульнявых прыстаўках.
Перавагай DRAM зьяўляецца канструкцыйная простасцьць: усяго адзін транзыстар і кандэнсатар на біт інфармацыі. У сваю чаргу, для аднаго біту інфармацыі ў статычнай памяці неабходна чатыры або шэсьць транзыстараў. З гэтай прычыны дасягаецца вялікая шчыльнасьць захаваных зьвестак. Параўнальна з флэш-памяцьцю, DRAM ёсьць энэргазалежнай, бо хутка губляе зьвесткі пасьля страты электрасілкаваньня. Памер транзыстараў і кандэнсатараў у дынамічнай памяці вельмі малы: на адзін чып могуць зьмясьціцца мільярды.
Крыніцы
- ^ Мікола Савіцкі Тлумачальны слоўнік па інфарматыцы. — Менск: Энцыклапедыкс, 2009. — С. 100. — 300 с. — 100 ас. — ISBN 978-985-6742-83-8