DRAM: розьніца паміж вэрсіямі
крыніца — http://en.wikipedia.org/wiki/Dynamic_random-access_memory?oldid=509353028 |
д дададзеная Катэгорыя:Кампутарная памяць з дапамогай HotCat |
||
Радок 9: | Радок 9: | ||
* [[SRAM|Статычная памяць з адвольным доступам]] |
* [[SRAM|Статычная памяць з адвольным доступам]] |
||
* [[Флэш-памяць]] |
* [[Флэш-памяць]] |
||
[[Катэгорыя:Кампутарная памяць]] |
|||
[[af:Dinamiese ewetoeganklike geheue]] |
[[af:Dinamiese ewetoeganklike geheue]] |
Вэрсія ад 22:29, 9 верасьня 2012
DRAM ці Дынамічная памяць з адвольным доступам (па-ангельску: Dynamic random-access memory) — тып памяці з адвольным доступам, у якім кожны біт памяці захоўваецца ў асобным кандэнсатары на мікрасхеме. Кандэнсатар можа быць або зараджаным, або разраджаным, таму паводле стану зараджанасьці вызначаецца значэньне — 1 ці 0. Паколькі зарад у кандэнсатары зь часам зьнікае, адпаведна зьнікаюць і зьвесткі, таму зьвесткі ў ячэйках счытваюцца і перазапісваюцца наноў — кожная такая апэрацыя называецца цыклем абнаўленьня. З-за неабходнасьці абнаўленьня зьвестак гэты тып памяці называецца дынамічным, у процівагу SRAM і іншым тыпам статычнай памяці.
Дынамічная памяць часьцей за ўсё займае ролю асноўнай памяці кампутара. Яна выкарыстоўваецца ў той жа ролі ў ноўтбуках і працоўных станцыях, а таксама ў некаторых гульнявых прыстаўках.
Перавагай DRAM зьяўляецца канструкцыйная простасцьць: усяго адзін транзыстар і кандэнсатар на біт інфармацыі. У сваю чаргу, для аднаго біту інфармацыі ў статычнай памяці неабходна чатыры або шэсьць транзыстараў. З гэтай прычыны дасягаецца вялікая шчыльнасьць захаваных зьвестак. Параўнальна з флэш-памяцьцю, DRAM ёсьць энэргазалежнай, бо хутка губляе зьвесткі пасьля страты электрасілкаваньня. Памер транзыстараў і кандэнсатараў у дынамічнай памяці вельмі малы: на адзін чып могуць зьмясьціцца мільярды.