Перайсьці да зьместу

Памяць з адвольным доступам: розьніца паміж вэрсіямі

крыніца — https://en.wikipedia.org/wiki/Random-access_memory?oldid=509354267
д (r2.7.2+) (робат зьмяніў: id:Memori akses acak)
(крыніца — https://en.wikipedia.org/wiki/Random-access_memory?oldid=509354267)
[[Файл:Memory module DDRAM 20-03-2006.jpg|thumb|225px|Прыклад [[энэргазалежная памяць|энэргазалежнае]] памяці з адвольным доступам: [[DDR SDRAM|SDRAM]] — звычайна выкарыстоўваецца ў якасьці асноўнае памяці ў [[Пэрсанальны кампутар|пэрсанальных кампутарах]] і [[сэрвэр]]ах.]]
 
'''Памяць з адвольным доступам''', '''апэратыўная памяць''' ({{lang-en|Random-access memory, RAM}}) — адзін зь відаў кампутарнае памяці. На сёняшні дзень уяўляе сабой набор інтэгральных схемаў, якія дазваляюць доступ на запіс і чытаньне да любой (адвольнай) ячэйкі захаванае інфармацыі. Слова ''адвольны'' ў гэтым выпадку падкрэсьлівае тое, што пэўная адзінка інфармацыі можа быць атрымана за пэўны прамежак часу незалежна ад яе фізычнага месцазнаходжаньня й залежнасьці ад папярэдняе адзінкі інфармацыі.<ref name="nonrandom">У прынцыповым разуменьні «адвольнасьці», сучасныя віды DRAM-памяці не надаюць фактычна адвольны доступ, таму што памяць на самой справе чытаецца блёкамі. Між тым, многія віды [[SRAM]], [[ROM]], [[NOR]]-флэшпамяці і іншыя могуць зьяўляцца памяцьцю з адвольным доступам нават у прынцыповым разуменьні.</ref>
 
АбрывіятураАбрэвіятура ''RAM'' звычайна асацыюецца з [[Энэргазалежная памяць|энэргазалежнай памяцьцю]] (якой зьяўляюцца [[DIMM|модулі памяці]] кшталту [[DRAM]]), якая губляе ўсю зьмешчаную ў сябе інфармацыю пасьля губленьня [[электрычная напруга|электрычнае напругі]].
 
== Гісторыя ==
[[Файл:Bundesarchiv Bild 183-1989-0406-022, VEB Carl Zeiss Jena, 1-Megabit-Chip.jpg|thumb|1-мэгабітны чып — адна з апошніх мадэляў [[Carl Zeiss|Carl Zeiss AG]], распрацаваная у 1989 годзе.]]
Першыя кампутары ў якасьці асноўнай прылады для захаваньня зьвестак выкарыстоўвалі [[рэле]] і [[Памяць на лініях затрымкі|лініі затрымкі]]. Ультрагукавыя лініі затрымкі маглі ўзнавіць зьвесткі толькі ў тым выглядзе, у якім яны былі запісаныя. [[Магнітны барабан|Магнітныя барабаны]] мелі нізкі кошт маштабаваньня, але атрыманьне непасьлядоўных кавалкаў інфармацыі было праблематычным бязь ведаў пра будову і працу прыбора. Трыгеры на [[трыёд]]ах, а потым на дыскрэтных [[транзыстар]]ах, выкарыстоўваліся ў меншых і хутчэйшых тыпах памяці, такіх як банкі рэгістраў з адвольным доступам. Тамтэйшыя рэгістры былі адносна вялікія, але акрамя памераў яны спажывалі шмат энэргіі і каштавалі зашмат для выкарыстаньня разам зь вялікімі аб’ёмамі зьвестак. Часьцей за ўсё пабудаваныя такім чынам элемэнты памяці маглі ўтрымліваць колькі соцень або тысяч бітаў памяці.
 
Першай сапраўднай памяцьцю з адвольным доступам лічыцца [[трубка Ўільямза]], створаная ў 1947 годзе. У якасьці носьбіту зьвестак у [[электронна-прамянёвая трубка|электронна-прамянёвай трубцы]] выступаў экран, пэўныя вобласьці якога зараджаліся для захаваньня інфармацыі. Адвольнасьць доступу дасягалася за конт таго, што электронны прамень трубкі мог счытваць і запісваць вобласьці экрану ў адвольным парадку. Аб’ём зьвестак у трубцы Ўільямза не перавышаў тысячу біт, але новая прылада была хутчэйшай, меншай у памерах і энэргаашчаджальнай, у адрозьненьні ад электравакуўмных трыгераў.
 
У 1947 годзе быў таксама вынайдзены іншы тып памяці з адвольным доступам — [[памяць на магнітных асяродках]]. Гэтая памяць паўсюдна выкарыстоўвалася да сярэдзіны 1970-х гадоў. Гэтая памяць уяўляла сабою шэраг намагнічаных фэрытавых кольцаў. Кожнае кольца адказвала за адзін біт інфармацыі, а яго стан — 0 або 1 — адпавядаў вызначанаму накірунку намагнічанасьці. Адзін блёк памяці ўяўляў сабою матрыцу з кольцаў, да кожнага зь якім падводзіліся правады для чытаньня і запісу зьвестак. Такім чынам забясьпечваўся адвольны доступ да інфармацыі.
 
Памяць на магнітных асяродках заставалася стандартам кампутарнай памяці да сярэдзіны 1970-х гадоў, калі ён на зьмену прыйшла цьвердацельная памяць на інтэгральных схемах. У 1968 годзе {{Артыкул у іншым разьдзеле|Робэрт Дэнард||en|Robert H. Dennard}} вынайшаў [[DRAM]] — дынамічную памяць з адвольным доступам. Дэнард прапанаваў замяніць 4- або 6-транзыстарны трыгер адным транзыстарам, які б адказваў за адзін біт. Гэта дазваляла значна ўшчыльніць памяць, але за кошт зьяўленьня энэргазалежнасьці: зьвесткі захоўваліся за кошт уласнай [[электрычная ёмістасьць|электрычнай ёмістасьці]] транзыстараў і патрабавалі сталага абнаўленьня за некалькі мілісэкундаў да таго, як электрычны зарад зьнікне.
 
{{Накід:Кампутары}}
== Крыніцы ==
{{зноскі}}